Open AccessЭкспериментальные исследования влияния эффектов атомного упорядочения в эпитаксиальных твердых растворах Ga-=SUB=-x-=/SUB=-In-=SUB=-1-x-=/SUB=-P на их структурные и морфологические свойства
Author(s) -
П. В. Середин,
A. S. Lenshin,
Ю.Ю. Худяков,
И. Н. Арсентьев,
Н.А. Калюжный,
S. A. Mintairov,
D. N. Nikolaev,
T. Prutskij
Publication year - 2017
Publication title -
fizika i tehnika poluprovodnikov
Language(s) - Russian
Resource type - Journals
eISSN - 1726-7315
pISSN - 0015-3222
DOI - 10.21883/ftp.2017.08.44802.8480
Subject(s) - metalorganic vapour phase epitaxy , materials science , crystallography , physics , chemistry , nanotechnology , epitaxy , layer (electronics)
Комплексом структурных и микроскопических методов изучены свойства эпитаксиальных твердых растворов Ga x In 1-x P с упорядоченным расположением атомов в кристаллической решетке, выращенных методом MOCVD на монокристаллических подложках GaAs(100). Показано, что в условиях когерентного роста упорядоченного твердого раствора Ga x In 1-x P на GaAs(100) появление атомного упорядочения приводит к кардинальному изменению структурных свойств полупроводника по сравнению со свойствами неупорядоченных твердых растворов, среди которых изменение параметра кристаллической решетки и, как следствие, понижение симметрии кристалла, а также образование двух различных типов нанорельефа поверхности. Впервые с учетом упругих напряжений рассчитаны параметры твердых растворов Ga x In 1-x P с упорядочением в зависимости от параметра порядка. Показано, что все экспериментальные результаты находятся в хорошем согласии с развитыми теоретическими представлениями. DOI: 10.21883/FTP.2017.08.44802.8480