Open AccessВоздействие протонного облучения с энергией 8 МэВ на гетероэпитаксиальные слои n-3C-SiC
Author(s) -
А.А. Лебедев,
Б.Я. Бер,
Г.А. Оганесян,
Sveylana Belov,
S. P. Lebedev,
I. P. Nikitina,
N. V. Seredova,
L. V. Shakhov,
В. В. Козловский
Publication year - 2017
Publication title -
fizika i tehnika poluprovodnikov
Language(s) - Russian
Resource type - Journals
eISSN - 1726-7315
pISSN - 0015-3222
DOI - 10.21883/ftp.2017.08.44795.8535
Subject(s) - file transfer protocol , materials science , nuclear chemistry , chemistry , computer science , operating system , the internet
Исследовано воздействие протонного облучения с энергией 8 МэВ на эпитаксиальные слои n-3C-SiC, выращенные методом сублимации на полуизолирующих подложках 4H-SiC. Изменения параметров образцов регистрировали методом эффекта Холла и по спектрам фотолюминесценции. Метод Холла был применен для раздельной оценки влияния облучения на концентрацию и подвижность носителей заряда. Скорость удаления носителей (V d ) составила ~110 см -1 . Полная компенсация образцов с исходной концентрацией носителей заряда 6.5·10 17 см -3 наблюдалась при дозах облучения ~6·10 15 см -2 . Подвижность носителей заряда при таких дозах облучения уменьшалась всего в 2.5 раза. По сравнению с 4H и 6H карбида кремния не было отмечено значительного увеличения интенсивности так называемой "дефектной" фотолюминесценции. DOI: 10.21883/FTP.2017.08.44795.8535