Воздействие протонного облучения с энергией 8 МэВ на гетероэпитаксиальные слои n-3C-SiC | Zendy

А.А. Лебедев | Zendy; Б.Я. Бер | Zendy; Г.А. Оганесян | Zendy; Sveylana Belov | Zendy; С. П. Лебедев | Zendy; I. P. Nikitina | Zendy; N. V. Seredova | Zendy; L. V. Shakhov | Zendy; В. В. Козловский | Zendy

AI Assistant Blog Pricing

Home ZAIA Blog

Open Access

Воздействие протонного облучения с энергией 8 МэВ на гетероэпитаксиальные слои n-3C-SiC

Author(s) -

А.А. Лебедев,

Б.Я. Бер,

Г.А. Оганесян,

Sveylana Belov,

С. П. Лебедев,

I. P. Nikitina,

N. V. Seredova,

L. V. Shakhov,

В. В. Козловский

Publication year - 2017

Publication title -

физика и техника полупроводников

Language(s) - Russian

Resource type - Journals

eISSN - 1726-7315

pISSN - 0015-3222

DOI - 10.21883/ftp.2017.08.44795.8535

Subject(s) - file transfer protocol , materials science , nuclear chemistry , chemistry , computer science , operating system , the internet

Исследовано воздействие протонного облучения с энергией 8 МэВ на эпитаксиальные слои n-3C-SiC, выращенные методом сублимации на полуизолирующих подложках 4H-SiC. Изменения параметров образцов регистрировали методом эффекта Холла и по спектрам фотолюминесценции. Метод Холла был применен для раздельной оценки влияния облучения на концентрацию и подвижность носителей заряда. Скорость удаления носителей (V d ) составила ~110 см -1 . Полная компенсация образцов с исходной концентрацией носителей заряда 6.5·10 17 см -3 наблюдалась при дозах облучения ~6·10 15 см -2 . Подвижность носителей заряда при таких дозах облучения уменьшалась всего в 2.5 раза. По сравнению с 4H и 6H карбида кремния не было отмечено значительного увеличения интенсивности так называемой "дефектной" фотолюминесценции. DOI: 10.21883/FTP.2017.08.44795.8535

The content you want is available to Zendy users.

Already have an account? Click here to sign in.

Having issues? You can contact us here

Accelerating Research