Сложная структура оптических переходов с остовных d-уровней кристаллов InAs и InSb | Zendy

В.В. Соболев | Zendy; D. A. Perevoshchikov | Zendy

AI Assistant Blog Pricing

Home ZAIA Blog

Open Access

Сложная структура оптических переходов с остовных d-уровней кристаллов InAs и InSb

Author(s) -

В.В. Соболев,

D. A. Perevoshchikov

Publication year - 2017

Publication title -

физика и техника полупроводников

Language(s) - Russian

Resource type - Journals

eISSN - 1726-7315

pISSN - 0015-3222

DOI - 10.21883/ftp.2017.08.44793.8454

Subject(s) - file transfer protocol , materials science , physics , optoelectronics , computer science , world wide web , the internet

Усовершенствованным беспараметрическим методом объединенных диаграмм Арганда спектры диэлектрической проницаемости кристаллов InAs и InSb в области 15-40 эВ разложены на тринадцать и двенадцать отдельных компонент соответственно с определением для каждой из них трех основных параметров: энергий максимума и полуширины, а также силы осциллятора. Силы осцилляторов находятся в интервалах 0.006-0.10 (InAs) и 0.014-0.076 (InSb). Спектры диэлектрических проницаемостей предварительно рассчитаны на основе экспериментальных спектров отражения и поглощения методом интегральных соотношений Крамерса-Кронига. Предложена природа полученных полос переходов по модели межзонных и экситонных переходов. DOI: 10.21883/FTP.2017.08.44793.8454

The content you want is available to Zendy users.

Already have an account? Click here to sign in.

Having issues? You can contact us here

Accelerating Research