Open AccessСложная структура оптических переходов с остовных d-уровней кристаллов InAs и InSb
Author(s) -
Val.V. Sobolev,
D. A. Perevoshchikov
Publication year - 2017
Publication title -
fizika i tehnika poluprovodnikov
Language(s) - Russian
Resource type - Journals
eISSN - 1726-7315
pISSN - 0015-3222
DOI - 10.21883/ftp.2017.08.44793.8454
Subject(s) - file transfer protocol , materials science , physics , optoelectronics , computer science , world wide web , the internet
Усовершенствованным беспараметрическим методом объединенных диаграмм Арганда спектры диэлектрической проницаемости кристаллов InAs и InSb в области 15-40 эВ разложены на тринадцать и двенадцать отдельных компонент соответственно с определением для каждой из них трех основных параметров: энергий максимума и полуширины, а также силы осциллятора. Силы осцилляторов находятся в интервалах 0.006-0.10 (InAs) и 0.014-0.076 (InSb). Спектры диэлектрических проницаемостей предварительно рассчитаны на основе экспериментальных спектров отражения и поглощения методом интегральных соотношений Крамерса-Кронига. Предложена природа полученных полос переходов по модели межзонных и экситонных переходов. DOI: 10.21883/FTP.2017.08.44793.8454