Open AccessВлияние легирования редкоземельными элементами (Eu, Tb, Dy) на электропроводность слоистых монокристаллов Bi-=SUB=-2-=/SUB=-Te-=SUB=-3-=/SUB=-
Author(s) -
Н. А. Абдуллаев,
К.М. Джафарли,
Х.В. Алигулиева,
L. N. Alieva,
S. S. Kakhramanov,
С. А. Немов
Publication year - 2017
Publication title -
fizika i tehnika poluprovodnikov
Language(s) - Russian
Resource type - Journals
eISSN - 1726-7315
pISSN - 0015-3222
DOI - 10.21883/ftp.2017.07.44658.8483
Subject(s) - file transfer protocol , materials science , physics , crystallography , chemistry , computer science , operating system , the internet
Исследованы температурные зависимости в интервале температур T=5-300 K удельного сопротивления в плоскости слоев и в направлении, перпендикулярном слоям, а также эффекты Холла и поперечного магнитосопротивления в нелегированных и легированных слоистых монокристаллах Bi 2 Te 3 (магнитные поля <80 кЭ, T=5 K). Показано, что при легировании Bi 2 Te 3 атомами редкоземельных элементов Eu, Tb, Dy наблюдается увеличение удельного сопротивления как в плоскости слоев, так и в направлении, перпендикулярном слоям Bi 2 Te 3 . Увеличение удельного сопротивления обусловлено главным образом уменьшением подвижности носителей заряда вследствие повышения роли в рассеянии процессов рассеяния носителей на дефектах. Оценены величины концентраций и подвижностей носителей заряда, а также значения холл-фактора, обусловленного анизотропией эффективных масс и ориентацией эллипсоидов относительно кристаллографических осей. DOI: 10.21883/FTP.2017.07.44658.8483