z-logo
open-access-imgOpen Access
Имитационное моделирование реверсивно-включаемых динисторов в режимах со сниженным порогом первичного запуска
Author(s) -
А.В. Горбатюк,
Bondarenko Ivanov
Publication year - 2017
Publication title -
физика и техника полупроводников
Language(s) - Russian
Resource type - Journals
eISSN - 1726-7315
pISSN - 0015-3222
DOI - 10.21883/ftp.2017.06.44565.8461
Subject(s) - chemistry
Предложен и детально исследован методами имитационного моделирования новый способ включения реверсивно-включаемых динисторов (РВД) в субмикросекундные режимы с высокими скоростями нарастания коммутируемого тока при существенном снижении порога первичного запуска. В вычислительной задаче учитывались все значимые физические законы для пространственно-распределенных и дискретных элементов РВД-коммутатора, в том числе нелокальное изохронное взаимодействие между рабочими объемами реверсивно-включаемых динисторов или включающих фотодиодных оптронов и компонентами внешних цепей. Результаты моделирования подтвердили возможность практического достижения для реверсивно-включаемых динисторов скоростей нарастания тока вплоть до dJ/dt=3·10 10 А·см -2 ·с -1 в схемах на основе включающих полупроводниковых ключей малой мощности при пороге первичного запуска относительно реверсивно инжектированного заряда плотностью всего 1-2 мкКл/см 2 . Эти показатели ранее рассматривались только как теоретический предел, недостижимый в субмикросекундном диапазоне для реальных ключей тиристорного типа. DOI: 10.21883/FTP.2017.06.44565.8461

The content you want is available to Zendy users.

Already have an account? Click here to sign in.
Having issues? You can contact us here
Accelerating Research

Address

John Eccles House
Robert Robinson Avenue,
Oxford Science Park, Oxford
OX4 4GP, United Kingdom