
Имитационное моделирование реверсивно-включаемых динисторов в режимах со сниженным порогом первичного запуска
Author(s) -
А.В. Горбатюк,
Б. В. Иванов
Publication year - 2017
Publication title -
fizika i tehnika poluprovodnikov
Language(s) - Russian
Resource type - Journals
eISSN - 1726-7315
pISSN - 0015-3222
DOI - 10.21883/ftp.2017.06.44565.8461
Subject(s) - chemistry
Предложен и детально исследован методами имитационного моделирования новый способ включения реверсивно-включаемых динисторов (РВД) в субмикросекундные режимы с высокими скоростями нарастания коммутируемого тока при существенном снижении порога первичного запуска. В вычислительной задаче учитывались все значимые физические законы для пространственно-распределенных и дискретных элементов РВД-коммутатора, в том числе нелокальное изохронное взаимодействие между рабочими объемами реверсивно-включаемых динисторов или включающих фотодиодных оптронов и компонентами внешних цепей. Результаты моделирования подтвердили возможность практического достижения для реверсивно-включаемых динисторов скоростей нарастания тока вплоть до dJ/dt=3·10 10 А·см -2 ·с -1 в схемах на основе включающих полупроводниковых ключей малой мощности при пороге первичного запуска относительно реверсивно инжектированного заряда плотностью всего 1-2 мкКл/см 2 . Эти показатели ранее рассматривались только как теоретический предел, недостижимый в субмикросекундном диапазоне для реальных ключей тиристорного типа. DOI: 10.21883/FTP.2017.06.44565.8461