Барьерная гетероструктура n-ZnO/p-CuI на основе электроосажденных в импульсном режиме наномассивов оксида цинка и изготовленных методом SILAR пленок иодида меди

В качестве перспективной базовой приборной диодной структуры полупрозрачного детектора ближнего ультрафиолетового излучения исследована барьерная гетероструктура p-CuI/n-ZnO. Проведен анализ кристаллической структуры, электрических и оптических свойств электроосажденных в импульсном режиме наномассивов оксида цинка и изготовленных методом SILAR пленок иодида меди, на основе которых создана чувствительная к УФ-облучению в спектральном диапазоне 365-370 нм барьерная гетероструктура n-ZnO/p-CuI. С помощью вольт-амперных характеристик определены шунтирующее сопротивление R sh · S c =879 Ом · см 2 , последовательное сопротивление R s · S c =8.5 Ом · см 2 , коэффициент выпрямления диода K=17.6, высота выпрямляющего барьера p-n-перехода Phi=1.1 эВ, коэффициент идеальности диода eta=2.4. Показано, что при малых напряжениях прямого смещения 0<U<0.15 В имеет место паритетное влияние механизмов рекомбинации и туннельного переноса носителей заряда. При увеличении напряжения выше 0.15 В механизм переноса становится туннельно-рекомбинационным. Значения плотности диодного тока насыщения J 0 составили 6.4·10 -6 мА · см -2 для механизма рекомбинации и туннельного переноса и 2.7·10 -3 мА · см -2 для туннельно-рекомбинационного механизма переноса носителей заряда. DOI: 10.21883/FTP.2017.06.44563.8450