Open AccessБарьерная гетероструктура n-ZnO/p-CuI на основе электроосажденных в импульсном режиме наномассивов оксида цинка и изготовленных методом SILAR пленок иодида меди
Author(s) -
Н.П. Клочко,
V. R. Kopach,
Г.С. Хрипунов,
V. E. Korsun,
N. D. Volkova,
В.Н. Любов,
M. V. Kirichenko,
A. V. Kopach,
Д.О. Жадан,
A. N. Otchenashko
Publication year - 2017
Publication title -
fizika i tehnika poluprovodnikov
Language(s) - Russian
Resource type - Journals
eISSN - 1726-7315
pISSN - 0015-3222
DOI - 10.21883/ftp.2017.06.44563.8450
Subject(s) - chemistry , nuclear chemistry
В качестве перспективной базовой приборной диодной структуры полупрозрачного детектора ближнего ультрафиолетового излучения исследована барьерная гетероструктура p-CuI/n-ZnO. Проведен анализ кристаллической структуры, электрических и оптических свойств электроосажденных в импульсном режиме наномассивов оксида цинка и изготовленных методом SILAR пленок иодида меди, на основе которых создана чувствительная к УФ-облучению в спектральном диапазоне 365-370 нм барьерная гетероструктура n-ZnO/p-CuI. С помощью вольт-амперных характеристик определены шунтирующее сопротивление R sh · S c =879 Ом · см 2 , последовательное сопротивление R s · S c =8.5 Ом · см 2 , коэффициент выпрямления диода K=17.6, высота выпрямляющего барьера p-n-перехода Phi=1.1 эВ, коэффициент идеальности диода eta=2.4. Показано, что при малых напряжениях прямого смещения 0<U<0.15 В имеет место паритетное влияние механизмов рекомбинации и туннельного переноса носителей заряда. При увеличении напряжения выше 0.15 В механизм переноса становится туннельно-рекомбинационным. Значения плотности диодного тока насыщения J 0 составили 6.4·10 -6 мА · см -2 для механизма рекомбинации и туннельного переноса и 2.7·10 -3 мА · см -2 для туннельно-рекомбинационного механизма переноса носителей заряда. DOI: 10.21883/FTP.2017.06.44563.8450