Влияние примеси самария на структуру и морфологию поверхности халькогенидного стеклообразного полупроводника Se-=SUB=-95-=/SUB=-Te-=SUB=-5-=/SUB=- | Zendy

С. И. Мехтиева | Zendy; С.У. Атаева | Zendy; А. И. Исаев | Zendy; В.З. Зейналов | Zendy

Open Access

Влияние примеси самария на структуру и морфологию поверхности халькогенидного стеклообразного полупроводника Se-=SUB=-95-=/SUB=-Te-=SUB=-5-=/SUB=-

Author(s) -

С. И. Мехтиева,

С.У. Атаева,

А. И. Исаев,

В.З. Зейналов

Publication year - 2017

Publication title -

физика и техника полупроводников

Language(s) - Russian

Resource type - Journals

eISSN - 1726-7315

pISSN - 0015-3222

DOI - 10.21883/ftp.2017.06.44561.8228

Subject(s) - file transfer protocol , materials science , crystallography , computer science , chemistry , operating system , the internet

Методами рентгеновской дифракции и атомно-силовой микроскопии исследованы структура и морфология поверхности пленок Se 95 Te 5 , а также влияние на них легирования самарием. C использованием параметров первого резкого дифракционного максимума (FSDP), наблюдаемого в картинах распределения интенсивности дифракции рентгеновских лучей, определены численные значения параметров локальной структуры, в частности "квазипериод" флуктуаций плотности, длина корреляции, диаметры нанопустот. Кроме того, определены численные значения амплитудных параметров шероховатости поверхности. Установлено, что с увеличением процентного содержания примеси самария наблюдается рост разупорядочения в атомной структуре и рост неоднородностей на поверхности исследуемых пленок. DOI: 10.21883/FTP.2017.06.44561.8228

The content you want is available to Zendy users.

Already have an account? Click here to sign in.

Having issues? You can contact us here

Accelerating Research