Open AccessЭлектронные свойства приповерхностных квантовых ям InGaAs/InAlAs с инвертированным легированием на подложках InP
Author(s) -
Г. Б. Галиев,
А. Н. Клочков,
И. С. Васильевский,
Е. А. Климов,
С. С. Пушкарев,
А. Н. Виниченко,
Р. А. Хабибуллин,
P. P. Maltsev
Publication year - 2017
Publication title -
fizika i tehnika poluprovodnikov
Language(s) - Russian
Resource type - Journals
eISSN - 1726-7315
pISSN - 0015-3222
DOI - 10.21883/ftp.2017.06.44559.8456
Subject(s) - optoelectronics , materials science , gallium arsenide
Сравниваются электронные транспортные и оптические свойства гетероструктур с приповерхностной квантовой ямой InGaAs/InAlAs при использовании инвертированного (снизу от квантовой ямы) и стандартного (сверху от квантовой ямы) delta-легирования атомами Si. Показано, что при использовании инвертированного легирования происходит увеличение плотности двумерных электронов в квантовой яме по сравнению со стандартным расположением легирующего слоя при идентичных составах и толщинах других слоев гетероструктур. Наблюдаемые особенности низкотемпературного электронного транспорта (осцилляций Шубникова--де-Гааза, эффекта Холла) и спектров фотолюминесценции гетероструктур интерпретированы с помощью моделирования зонной структуры. DOI: 10.21883/FTP.2017.06.44559.8456