Электронные свойства приповерхностных квантовых ям InGaAs/InAlAs с инвертированным легированием на подложках InP | Zendy

Г. Б. Галиев | Zendy; А. Н. Клочков | Zendy; И. С. Васильевский | Zendy; E. A. Klimov | Zendy; С. С. Пушкарев | Zendy; А. Н. Виниченко | Zendy; Р. А. Хабибуллин | Zendy; P. P. Maltsev | Zendy

AI Assistant Blog Pricing

Home ZAIA Blog

Open Access

Электронные свойства приповерхностных квантовых ям InGaAs/InAlAs с инвертированным легированием на подложках InP

Author(s) -

Г. Б. Галиев,

А. Н. Клочков,

И. С. Васильевский,

E. A. Klimov,

С. С. Пушкарев,

А. Н. Виниченко,

Р. А. Хабибуллин,

P. P. Maltsev

Publication year - 2017

Publication title -

физика и техника полупроводников

Language(s) - Russian

Resource type - Journals

eISSN - 1726-7315

pISSN - 0015-3222

DOI - 10.21883/ftp.2017.06.44559.8456

Subject(s) - optoelectronics , materials science , gallium arsenide

Сравниваются электронные транспортные и оптические свойства гетероструктур с приповерхностной квантовой ямой InGaAs/InAlAs при использовании инвертированного (снизу от квантовой ямы) и стандартного (сверху от квантовой ямы) delta-легирования атомами Si. Показано, что при использовании инвертированного легирования происходит увеличение плотности двумерных электронов в квантовой яме по сравнению со стандартным расположением легирующего слоя при идентичных составах и толщинах других слоев гетероструктур. Наблюдаемые особенности низкотемпературного электронного транспорта (осцилляций Шубникова--де-Гааза, эффекта Холла) и спектров фотолюминесценции гетероструктур интерпретированы с помощью моделирования зонной структуры. DOI: 10.21883/FTP.2017.06.44559.8456

The content you want is available to Zendy users.

Already have an account? Click here to sign in.

Having issues? You can contact us here

Accelerating Research