Open AccessФормирование p-эмиттера с участием сурфактантов в GaAs фотоэлектрических преобразователях
Author(s) -
Л.Б. Карлина,
А.С. Власов,
Б.Я. Бер,
Д.Ю. Казанцев,
Н.Х. Тимошина,
М.М. Кулагина,
А.Б. Смирнов
Publication year - 2017
Publication title -
fizika i tehnika poluprovodnikov
Language(s) - Russian
Resource type - Journals
eISSN - 1726-7315
pISSN - 0015-3222
DOI - 10.21883/ftp.2017.05.44432.8477
Subject(s) - file transfer protocol , materials science , computer science , operating system , the internet
Приведены сравнительные характеристики фотовольтаических преобразователей лазерного излучения на основе арсенида галлия с p-эмиттером, сформированным диффузией из газовой фазы в присутствии сурфактантов (изовалентных примесей) и без них. Показано, что использование индия и фосфора в процессе формирования p-n-перехода существенно влияет на характеристики полученных приборов. DOI: 10.21883/FTP.2017.05.44432.8477