Формирование p-эмиттера с участием сурфактантов в GaAs фотоэлектрических преобразователях | Zendy

Л.Б. Карлина | Zendy; А.С. Власов | Zendy; Б.Я. Бер | Zendy; Д.Ю. Казанцев | Zendy; Н.Х. Тимошина | Zendy; М.М. Кулагина | Zendy; А.Б. Смирнов | Zendy

AI Assistant Blog Pricing

Home ZAIA Blog

Open Access

Формирование p-эмиттера с участием сурфактантов в GaAs фотоэлектрических преобразователях

Author(s) -

Л.Б. Карлина,

А.С. Власов,

Б.Я. Бер,

Д.Ю. Казанцев,

Н.Х. Тимошина,

М.М. Кулагина,

А.Б. Смирнов

Publication year - 2017

Publication title -

физика и техника полупроводников

Language(s) - Russian

Resource type - Journals

eISSN - 1726-7315

pISSN - 0015-3222

DOI - 10.21883/ftp.2017.05.44432.8477

Subject(s) - file transfer protocol , materials science , computer science , operating system , the internet

Приведены сравнительные характеристики фотовольтаических преобразователей лазерного излучения на основе арсенида галлия с p-эмиттером, сформированным диффузией из газовой фазы в присутствии сурфактантов (изовалентных примесей) и без них. Показано, что использование индия и фосфора в процессе формирования p-n-перехода существенно влияет на характеристики полученных приборов. DOI: 10.21883/FTP.2017.05.44432.8477

The content you want is available to Zendy users.

Already have an account? Click here to sign in.

Having issues? You can contact us here

Accelerating Research