Стимулированное излучение лазерных структур InGaAs/ GaAs/AlGaAs, выращенных методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений на неотклоненной и отклоненной подложках Ge/Si(001) | Zendy

В.Я. Алешкин | Zendy; Н.В. Байдусь | Zendy; А. А. Дубинов | Zendy; Z. F. Krasilnik | Zendy; С. М. Некоркин | Zendy; А. В. Новиков | Zendy; А. В. Рыков | Zendy; Д.В. Юрасов | Zendy; А.Н. Яблонский | Zendy

Open Access

Стимулированное излучение лазерных структур InGaAs/ GaAs/AlGaAs, выращенных методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений на неотклоненной и отклоненной подложках Ge/Si(001)

Author(s) -

В.Я. Алешкин,

Н.В. Байдусь,

А. А. Дубинов,

Z. F. Krasilnik,

С. М. Некоркин,

А. В. Новиков,

А. В. Рыков,

Д.В. Юрасов,

А.Н. Яблонский

Publication year - 2017

Publication title -

физика и техника полупроводников

Language(s) - Russian

Resource type - Journals

eISSN - 1726-7315

pISSN - 0015-3222

DOI - 10.21883/ftp.2017.05.44431.8449

Subject(s) - materials science , gallium arsenide , optoelectronics

Методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений получены лазерные структуры GaAs/AlGaAs с квантовыми ямами InGaAs на неотклоненной и отклоненной на 4 o к оси [011] подложках Si(001) с релаксированным буфером Ge, излучающие в области прозрачности объемного кремния (длина волны больше 1100 нм при комнатной температуре). Пороговые плотности мощности наблюдения стимулированного излучения для структур, выращенных на неотклоненной и отклоненной подложках, составили 45 и 37 кВт/см 2 соответственно. DOI: 10.21883/FTP.2017.05.44431.8449

The content you want is available to Zendy users.

Already have an account? Click here to sign in.

Having issues? You can contact us here

Accelerating Research