Open AccessСтимулированное излучение лазерных структур InGaAs/ GaAs/AlGaAs, выращенных методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений на неотклоненной и отклоненной подложках Ge/Si(001)
Author(s) -
В.Я. Алешкин,
Н.В. Байдусь,
А. А. Дубинов,
Z. F. Krasilnik,
С. М. Некоркин,
А. В. Новиков,
А. В. Рыков,
Д.В. Юрасов,
А.Н. Яблонский
Publication year - 2017
Publication title -
fizika i tehnika poluprovodnikov
Language(s) - Russian
Resource type - Journals
eISSN - 1726-7315
pISSN - 0015-3222
DOI - 10.21883/ftp.2017.05.44431.8449
Subject(s) - materials science , gallium arsenide , optoelectronics
Методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений получены лазерные структуры GaAs/AlGaAs с квантовыми ямами InGaAs на неотклоненной и отклоненной на 4 o к оси [011] подложках Si(001) с релаксированным буфером Ge, излучающие в области прозрачности объемного кремния (длина волны больше 1100 нм при комнатной температуре). Пороговые плотности мощности наблюдения стимулированного излучения для структур, выращенных на неотклоненной и отклоненной подложках, составили 45 и 37 кВт/см 2 соответственно. DOI: 10.21883/FTP.2017.05.44431.8449