Open AccessФотоэлектрический приемник лазерного излучения (lambda=809 нм) на основе GаAs
Author(s) -
В. П. Хвостиков,
S. V. Sorokina,
Н. С. Потапович,
О.А. Хвостикова,
N. Kh. Timoshina
Publication year - 2017
Publication title -
физика и техника полупроводников
Language(s) - Russian
Resource type - Journals
eISSN - 1726-7315
pISSN - 0015-3222
DOI - 10.21883/ftp.2017.05.44428.8427
Subject(s) - lambda , file transfer protocol , physics , mathematics , combinatorics , computer science , optics , world wide web , the internet
На основе однопереходных гетероструктур AlGaAs/GaAs, полученных методом эпитаксии из жидкой фазы, созданы преобразователи лазерного излучения с длиной волны lambda=809 нм. Разработаны и протестированы фотоэлектрические модули с рабочим напряжением 4 В для преобразования излучения различной плотности. Исследованы два подхода --- без использования оптических концентрирующих систем и с применением линз Френеля. В фотоэлектрическом приемнике на основе 64 преобразователей лазерного излучения площадью 0.04 см 2 и концентрирующей системы из матрицы кварцевых линз достигнут монохроматический кпд преобразования >44%. DOI: 10.21883/FTP.2017.05.44428.8427
Accelerating Research
Robert Robinson Avenue,
Oxford Science Park, Oxford
OX4 4GP, United Kingdom
Address
John Eccles HouseRobert Robinson Avenue,
Oxford Science Park, Oxford
OX4 4GP, United Kingdom