Open AccessЭлектронное строение монослойных сверхрешеток (GeC)-=SUB=-1-=/SUB=-(SiC)-=SUB=-1-=/SUB=-, (SnC)-=SUB=-1-=/SUB=-(SiC)-=SUB=-1-=/SUB=- и (SnC)-=SUB=-1-=/SUB=-(GeC)-=SUB=-1-=/SUB=-
Author(s) -
Ю.М. Басалаев,
Е.Н. Малышева
Publication year - 2017
Publication title -
fizika i tehnika poluprovodnikov
Language(s) - Russian
Resource type - Journals
eISSN - 1726-7315
pISSN - 0015-3222
DOI - 10.21883/ftp.2017.05.44422.8357
Subject(s) - materials science , analytical chemistry (journal) , chemistry , chromatography
В рамках теории функционала плотности проведено моделирование кристаллической структуры и электронного строения кристаллов GeC, SiC, SnC и сверхрешеток на их основе: GeC/SiC, SnC/SiC, SnC/GeC. Получены равновесные постоянные кристаллических решеток, вычислены зонные спектры, плотности состояний и изучены особенности формирования валентной зоны и химической связи в рассматриваемых кристаллах и сверхрешетках. DOI: 10.21883/FTP.2017.05.44422.8357