Инжекционная терагерцовая электролюминесценция кремниевых p-n-структур

В кремниевых p + -n-структурах обнаружена инжекционная электролюминесценция в терагерцовом диапазоне при гелиевых температурах. Исследовались структуры, созданные диффузией бора в легированный фосфором n-кремний. В спектрах терагерцового излучения на фоне широкого плавного фона наблюдаются сравнительно узкие линии люминесценции. Спектральное положение ряда линий соответствует оптическим переходам в донорах фосфора. Внутрицентровые переходы электронов в донорах фосфора возбуждаются в результате рекомбинационных процессов, происходящих в n-области структуры при инжекции неравновесных дырок. Ряд других линий в спектрах терагерцового излучения связан с внутрицентровыми переходами в акцепторных центрах, которые также возбуждаются в результате инжекции. Бесструктурный фон в спектрах электролюминесценции может быть связан с излучением при внутризонной энергетической релаксации горячих" носителей заряда, с эффективной температурой, превышающей температуру решетки, которые появляются в структуре в условиях инжекции. DOI: 10.21883/FTP.2017.05.44420.8432