Open AccessИнжекционная терагерцовая электролюминесценция кремниевых p-n-структур
Author(s) -
А.О. Захарьин,
Ю. Б. Васильев,
Н. А. Соболев,
В.В. Забродский,
С.В. Егоров,
А. В. Андрианов
Publication year - 2017
Publication title -
fizika i tehnika poluprovodnikov
Language(s) - Russian
Resource type - Journals
eISSN - 1726-7315
pISSN - 0015-3222
DOI - 10.21883/ftp.2017.05.44420.8432
Subject(s) - file transfer protocol , computer science , mathematics , operating system , the internet
В кремниевых p + -n-структурах обнаружена инжекционная электролюминесценция в терагерцовом диапазоне при гелиевых температурах. Исследовались структуры, созданные диффузией бора в легированный фосфором n-кремний. В спектрах терагерцового излучения на фоне широкого плавного фона наблюдаются сравнительно узкие линии люминесценции. Спектральное положение ряда линий соответствует оптическим переходам в донорах фосфора. Внутрицентровые переходы электронов в донорах фосфора возбуждаются в результате рекомбинационных процессов, происходящих в n-области структуры при инжекции неравновесных дырок. Ряд других линий в спектрах терагерцового излучения связан с внутрицентровыми переходами в акцепторных центрах, которые также возбуждаются в результате инжекции. Бесструктурный фон в спектрах электролюминесценции может быть связан с излучением при внутризонной энергетической релаксации горячих" носителей заряда, с эффективной температурой, превышающей температуру решетки, которые появляются в структуре в условиях инжекции. DOI: 10.21883/FTP.2017.05.44420.8432