Open AccessОсобенности баллистического транспорта электронов через открытые двухуровневые системы в сильном высокочастотном электрическом поле
Author(s) -
А.Б. Пашковский
Publication year - 2017
Publication title -
физика и техника полупроводников
Language(s) - Russian
Resource type - Journals
eISSN - 1726-7315
pISSN - 0015-3222
DOI - 10.21883/ftp.2017.05.44419.8111
Subject(s) - computer science
Для несимметричных дувухбарьерных и трехбарьерных резонансно-туннельных структур с тонкими высокими барьерами, образующих открытые двухуровневые системы, получены аналитические выражения для коэффициентов прохождения и отражения электронов в сильном высокочастотном электрическом поле с частотой, близкой к резонансной. Исследованы зависимости ширины и формы резонансных уровней от амплитуды высокочастотного поля. Показано, что для таких структур практически всегда существуют условия, при которых нерезонансные каналы рассеяния вблизи квантовых уровней могут становиться абсолютно прозрачными. DOI: 10.21883/FTP.2017.05.44419.8111
Accelerating Research
Robert Robinson Avenue,
Oxford Science Park, Oxford
OX4 4GP, United Kingdom
Address
John Eccles HouseRobert Robinson Avenue,
Oxford Science Park, Oxford
OX4 4GP, United Kingdom