Open AccessПричина расхождения экспериментальных значений высоты барьера на контакте металл-полупроводник
Author(s) -
Ш.Г. Аскеров,
Л.К. Абдуллаева,
М.Г. Гасанов
Publication year - 2017
Publication title -
fizika i tehnika poluprovodnikov
Language(s) - Russian
Resource type - Journals
eISSN - 1726-7315
pISSN - 0015-3222
DOI - 10.21883/ftp.2017.05.44418.8363
Subject(s) - computer science
Сделана попытка объяснить причину расхождения высоты барьера для одного и того же контакта металл-полупроводник в работах различных авторов. Предполагалось, что эта проблема в основном связана со структурной неоднородностью металла, в результате чего контакт становится параллельным соединением многочисленных субконтактов, имеющих различные параметры. Для выявления влияния неоднородности металла на свойства контакта исследована зависимость высоты барьера диодов Шоттки от площади контакта. Предполагалось, что в случае контакта монокристаллического полупроводника с поликристаллическим металлом c ростом площади растут степень неоднородности и соответственно число субконтактов. DOI: 10.21883/FTP.2017.05.44418.8363