Open AccessОптические и фотоэлектрические свойства кристаллов ZnSe:Ti
Author(s) -
Ю.А. Ницук,
Ю.Ф. Ваксман
Publication year - 2017
Publication title -
fizika i tehnika poluprovodnikov
Language(s) - Russian
Resource type - Journals
eISSN - 1726-7315
pISSN - 0015-3222
DOI - 10.21883/ftp.2017.05.44413.8388
Subject(s) - materials science , file transfer protocol , crystallography , chemistry , computer science , world wide web , the internet
Проведены исследования спектров фотопроводимости и фотолюминесценции кристаллов ZnSe:Ti в видимой и ИК-областях спектрa. Установлено, что высокотемпературная примесная фотопроводимость кристаллов ZnSe:Тi обусловлена оптическими переходами электронов c основного состояния 3 A 2 (F) на высокоэнергетические возбужденные состояния с последующим термическим переходом электронов в зону проводимости. Эффективное возбуждение внутрицентровой люминесценции кристаллов ZnSe:Тi осуществляется светом из области собственного поглощения ионов Тi 2+ . DOI: 10.21883/FTP.2017.05.44413.8388