Исследование пространственного распределения фототока в плоскости Si-p-n-фотодиода с наноостровками GeSi методом сканирующей ближнепольной оптической микроскопии | Zendy

Д. О. Филатов | Zendy; I. A. Kazantseva | Zendy; В. Г. Шенгуров | Zendy; В.Ю. Чалков | Zendy; С.А. Денисов | Zendy; А. П. Горшков | Zendy; V. P. Mishkin | Zendy

Open Access

Исследование пространственного распределения фототока в плоскости Si-p-n-фотодиода с наноостровками GeSi методом сканирующей ближнепольной оптической микроскопии

Author(s) -

Д. О. Филатов,

I. A. Kazantseva,

В. Г. Шенгуров,

В.Ю. Чалков,

С.А. Денисов,

А. П. Горшков,

V. P. Mishkin

Publication year - 2017

Publication title -

физика и техника полупроводников

Language(s) - Russian

Resource type - Journals

eISSN - 1726-7315

pISSN - 0015-3222

DOI - 10.21883/ftp.2017.04.44353.8420

Subject(s) - file transfer protocol , materials science , crystallography , chemistry , computer science , operating system , the internet

Методом сканирующей ближнепольной оптической микроскопии исследовано пространственное распределение фототока в плоскости p + -n-перехода на базе Si cо встроенными самоформирующимися наноостровками Ge x Si 1-x (x~0.35) при локальном фотовозбуждении зондом микроскопа на длине волны излучения 1310 нм, большей красной границы собственной фоточувствительности Si. На изображениях фототока (картах пространственного распределения фототока в плоскости фотоприемного окна p + -n-фотодиода) обнаружены неоднородности, связанные с межзонным оптическим поглощением в наноостровках GeSi. Результаты работы показывают возможность визуализации индивидуальных наноостровков GeSi на изображениях фототока с пространственным разрешением ~100 нм. DOI: 10.21883/FTP.2017.04.44353.8420

The content you want is available to Zendy users.

Already have an account? Click here to sign in.

Having issues? You can contact us here

Accelerating Research