Open AccessИсследование пространственного распределения фототока в плоскости Si-p-n-фотодиода с наноостровками GeSi методом сканирующей ближнепольной оптической микроскопии
Author(s) -
Д. О. Филатов,
I. A. Kazantseva,
В. Г. Шенгуров,
В.Ю. Чалков,
С. А. Денисов,
А. П. Горшков,
V. P. Mishkin
Publication year - 2017
Publication title -
fizika i tehnika poluprovodnikov
Language(s) - Russian
Resource type - Journals
eISSN - 1726-7315
pISSN - 0015-3222
DOI - 10.21883/ftp.2017.04.44353.8420
Subject(s) - file transfer protocol , materials science , crystallography , chemistry , computer science , operating system , the internet
Методом сканирующей ближнепольной оптической микроскопии исследовано пространственное распределение фототока в плоскости p + -n-перехода на базе Si cо встроенными самоформирующимися наноостровками Ge x Si 1-x (x~0.35) при локальном фотовозбуждении зондом микроскопа на длине волны излучения 1310 нм, большей красной границы собственной фоточувствительности Si. На изображениях фототока (картах пространственного распределения фототока в плоскости фотоприемного окна p + -n-фотодиода) обнаружены неоднородности, связанные с межзонным оптическим поглощением в наноостровках GeSi. Результаты работы показывают возможность визуализации индивидуальных наноостровков GeSi на изображениях фототока с пространственным разрешением ~100 нм. DOI: 10.21883/FTP.2017.04.44353.8420