Open AccessГетероэпитаксиальные структуры InAs-=SUB=-1-x-=/SUB=-Sb-=SUB=-x-=/SUB=- на градиентных буферных слоях GaInSb и AlGaInSb
Author(s) -
R. R. Guseĭnov,
В.А. Танрывердиев,
G. Kipshidze,
Е.H. Алиева,
Х.В. Алигулиева,
Н. А. Абдуллаев,
Nazim Mamedov
Publication year - 2017
Publication title -
fizika i tehnika poluprovodnikov
Language(s) - Russian
Resource type - Journals
eISSN - 1726-7315
pISSN - 0015-3222
DOI - 10.21883/ftp.2017.04.44351.8401
Subject(s) - materials science , antimony , crystallography , physics , chemistry , metallurgy
Получены нерелаксированные слои твердого раствора InAs 1-x Sb x (x=0.43 и 0.38) методом молекулярно-лучевой эпитаксии с использованием градиентных буферных слоев GaInSb и AlGaInSb. Высокое качество полученных тонких пленок подтверждается результатами исследований высокоразрешающей рентгеновской дифракции и микро-рамановского рассеяния. Выявлен двухмодовый тип перестройки фононных спектров твердых растворов InAs 1-x Sb x . DOI: 10.21883/FTP.2017.04.44351.8401