z-logo
open-access-imgOpen Access
Гетероэпитаксиальные структуры InAs-=SUB=-1-x-=/SUB=-Sb-=SUB=-x-=/SUB=- на градиентных буферных слоях GaInSb и AlGaInSb
Author(s) -
R. R. Guseĭnov,
В.А. Танрывердиев,
G. Kipshidze,
Е.H. Алиева,
Х.В. Алигулиева,
Н. А. Абдуллаев,
Nazim Mamedov
Publication year - 2017
Publication title -
физика и техника полупроводников
Language(s) - Russian
Resource type - Journals
eISSN - 1726-7315
pISSN - 0015-3222
DOI - 10.21883/ftp.2017.04.44351.8401
Subject(s) - materials science , antimony , crystallography , physics , chemistry , metallurgy
Получены нерелаксированные слои твердого раствора InAs 1-x Sb x (x=0.43 и 0.38) методом молекулярно-лучевой эпитаксии с использованием градиентных буферных слоев GaInSb и AlGaInSb. Высокое качество полученных тонких пленок подтверждается результатами исследований высокоразрешающей рентгеновской дифракции и микро-рамановского рассеяния. Выявлен двухмодовый тип перестройки фононных спектров твердых растворов InAs 1-x Sb x . DOI: 10.21883/FTP.2017.04.44351.8401

The content you want is available to Zendy users.

Already have an account? Click here to sign in.
Having issues? You can contact us here
Accelerating Research

Address

John Eccles House
Robert Robinson Avenue,
Oxford Science Park, Oxford
OX4 4GP, United Kingdom