Open AccessГенерация терагерцового излучения при облучении фемтосекундными лазерными импульсами In-=SUB=-0.38-=/SUB=-Ga-=SUB=-0.62-=/SUB=-As, выращенного на подложке GaAs с метаморфным буферным слоем
Author(s) -
Д. С. Пономарев,
Р. А. Хабибуллин,
А.Э. Ячменев,
P. P. Maltsev,
М. М. Грехов,
И.Е. Иляков,
B. V. Shishkin,
Р. А. Ахмеджанов
Publication year - 2017
Publication title -
fizika i tehnika poluprovodnikov
Language(s) - Russian
Resource type - Journals
eISSN - 1726-7315
pISSN - 0015-3222
DOI - 10.21883/ftp.2017.04.44348.8413
Subject(s) - file transfer protocol , gallium arsenide , materials science , crystallography , computer science , optoelectronics , chemistry , operating system , the internet
Приведены результаты исследований генерации терагерцового (ТГц) излучения с помощью спектроскопии с временным разрешением в структуре с фотопроводящим слоем In 0.38 Ga 0.62 As. Исследуемая структура, выращенная методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложке GaAs с помощью метаморфного буфера, позволяет генерировать ТГц излучение с широким спектром частот (вплоть до 6 ТГц). Это связано с дополнительным вкладом фотовольтаического эффекта Дембера в генерацию ТГц излучения. Измеренная эффективность оптико-терагерцового преобразования в такой структуре составляет ~10 -5 при достаточно малом оптическом флюенсе ~40 мкДж/см 2 , что почти на два порядка выше, чем в "низкотемпературном" GaAs. DOI: 10.21883/FTP.2017.04.44348.8413