Генерация терагерцового излучения при облучении фемтосекундными лазерными импульсами In-=SUB=-0.38-=/SUB=-Ga-=SUB=-0.62-=/SUB=-As, выращенного на подложке GaAs с метаморфным буферным слоем | Zendy

Д. С. Пономарев | Zendy; Р. А. Хабибуллин | Zendy; А.Э. Ячменев | Zendy; P. P. Maltsev | Zendy; М. М. Грехов | Zendy; И.Е. Иляков | Zendy; Boris Shishkin | Zendy; Р. А. Ахмеджанов | Zendy

Open Access

Генерация терагерцового излучения при облучении фемтосекундными лазерными импульсами In-=SUB=-0.38-=/SUB=-Ga-=SUB=-0.62-=/SUB=-As, выращенного на подложке GaAs с метаморфным буферным слоем

Author(s) -

Д. С. Пономарев,

Р. А. Хабибуллин,

А.Э. Ячменев,

P. P. Maltsev,

М. М. Грехов,

И.Е. Иляков,

Boris Shishkin,

Р. А. Ахмеджанов

Publication year - 2017

Publication title -

физика и техника полупроводников

Language(s) - Russian

Resource type - Journals

eISSN - 1726-7315

pISSN - 0015-3222

DOI - 10.21883/ftp.2017.04.44348.8413

Subject(s) - file transfer protocol , gallium arsenide , materials science , crystallography , computer science , optoelectronics , chemistry , operating system , the internet

Приведены результаты исследований генерации терагерцового (ТГц) излучения с помощью спектроскопии с временным разрешением в структуре с фотопроводящим слоем In 0.38 Ga 0.62 As. Исследуемая структура, выращенная методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложке GaAs с помощью метаморфного буфера, позволяет генерировать ТГц излучение с широким спектром частот (вплоть до 6 ТГц). Это связано с дополнительным вкладом фотовольтаического эффекта Дембера в генерацию ТГц излучения. Измеренная эффективность оптико-терагерцового преобразования в такой структуре составляет ~10 -5 при достаточно малом оптическом флюенсе ~40 мкДж/см 2 , что почти на два порядка выше, чем в "низкотемпературном" GaAs. DOI: 10.21883/FTP.2017.04.44348.8413

The content you want is available to Zendy users.

Already have an account? Click here to sign in.

Having issues? You can contact us here

Accelerating Research