Заряд квантовой ямы и распределение напряжения в структуре металл-диэлектрик-кремний при резонансном туннелировании электронов

Теоретически рассмотрены условия накопления электронов в квантовой яме резонансно-туннельной структуры металл-окисел-p + -кремний и масштаб влияния накопленного заряда на распределение напряжения. Исследованы системы с SiO 2 , HfO 2 и TiO 2 в качестве диэлектрика. Показано, что появления заряда в яме при резонансном транспорте можно ожидать для структур на подложках с концентрацией акцепторов от (5-6)·10 18 до (2-3)·10 19 см -3 в диапазоне толщин окисла, зависящем от этой концентрации. Так, для структур с SiO 2 /p + -Si(10 19 cм -3 ) толщина окисла должна превышать ~3 нм. Плотность электронов в яме может достигать величин ~10 12 cм -2 и более. Однако влияние этого заряда на электростатику структуры становится заметным только в режимах сравнительно высоких напряжений, далеких от момента активации резонансного переноса через первую подзону. DOI: 10.21883/FTP.2017.04.44337.8445