Open AccessСплавные омические контакты на основе Si/Al к нитридным гетеросистемам AlGaN/GaN
Author(s) -
Д.Н. Слаповский,
А.Ю. Павлов,
Vladislav I. Pavlov,
A. V. Klekovkin
Publication year - 2017
Publication title -
fizika i tehnika poluprovodnikov
Language(s) - Russian
Resource type - Journals
eISSN - 1726-7315
pISSN - 0015-3222
DOI - 10.21883/ftp.2017.04.44336.8418
Subject(s) - materials science , optoelectronics , file transfer protocol , computer science , operating system , the internet
Впервые в России исследована сплавная контактная композиция Si/Al/Ti/Au для формирования омических контактов к гетероструктурам AlGaN/GaN с использованием температурного отжига. Проведено сравнение полученных результатов с традиционными омическими контактами Ti/Al/Ni/Au. Использование исследуемой композиции позволило снизить температуру отжига до 675-700 o C, что привело к улучшению морфологии сплавных омических контактов по сравнению с традиционными. Были получены зависимости значения контактного сопротивления с использованием композиции на основе Si/Al к гетероструктуре AlGaN/GaN от температуры и длительности температурного отжига. Показано, что в диапазоне температур 700-750 o C качественного изменения сопротивления не происходит при длительности отжига несколько минут. В диапазоне температур 675-700 o C идет асимптотическое уменьшение удельного контактного сопротивления при увеличении длительности отжига. Минимальное значение удельного контактного сопротивления составило 0.41 Ом·мм. DOI: 10.21883/FTP.2017.04.44336.8418