Open AccessИмпульсное лазерное напыление тонких пленок Al-=SUB=-x-=/SUB=-Ga-=SUB=-1-x-=/SUB=-As и GaP на подложках Si для фотопреобразователей
Author(s) -
Л. С. Лунин,
М. Л. Лунина,
Олег Васильевич Девицкий,
И. А. Сысоев
Publication year - 2017
Publication title -
fizika i tehnika poluprovodnikov
Language(s) - Russian
Resource type - Journals
eISSN - 1726-7315
pISSN - 0015-3222
DOI - 10.21883/ftp.2017.03.44216.8299
Subject(s) - band gap , materials science , silicon , file transfer protocol , crystallography , optoelectronics , chemistry , computer science , the internet , world wide web
Методом импульсного лазерного напыления получены тонкие (до 1 мкм) пленки AlGaAs и GaP на кремниевых подложках. Проанализированы методы снижения количества структурных дефектов в полученных пленках, определено влияние механических напряжений на гетероструктуры AlGaAs/Si, GaP/Si методом комбинационного рассеяния света. Исследовано применение Al 0.3 Ga 0.7 As и GaP в качестве широкозонного окна кремниевого фотопреобразователя. Исследованы спектральные характеристики фотоэлементов на основе Al 0.3 Ga 0.7 As/Si и GaP/Si. Данные гетероструктуры могут быть использованы в качестве первого p-n-перехода многопереходного фотоэлектрического преобразователя на основе кремния. DOI: 10.21883/FTP.2017.03.44216.8299