Импульсное лазерное напыление тонких пленок Al-=SUB=-x-=/SUB=-Ga-=SUB=-1-x-=/SUB=-As и GaP на подложках Si для фотопреобразователей | Zendy

Л. С. Лунин | Zendy; М. Л. Лунина | Zendy; Олег Васильевич Девицкий | Zendy; I. A. Sysoev | Zendy

Open Access

Импульсное лазерное напыление тонких пленок Al-=SUB=-x-=/SUB=-Ga-=SUB=-1-x-=/SUB=-As и GaP на подложках Si для фотопреобразователей

Author(s) -

Л. С. Лунин,

М. Л. Лунина,

Олег Васильевич Девицкий,

I. A. Sysoev

Publication year - 2017

Publication title -

физика и техника полупроводников

Language(s) - Russian

Resource type - Journals

eISSN - 1726-7315

pISSN - 0015-3222

DOI - 10.21883/ftp.2017.03.44216.8299

Subject(s) - band gap , materials science , silicon , file transfer protocol , crystallography , optoelectronics , chemistry , computer science , the internet , world wide web

Методом импульсного лазерного напыления получены тонкие (до 1 мкм) пленки AlGaAs и GaP на кремниевых подложках. Проанализированы методы снижения количества структурных дефектов в полученных пленках, определено влияние механических напряжений на гетероструктуры AlGaAs/Si, GaP/Si методом комбинационного рассеяния света. Исследовано применение Al 0.3 Ga 0.7 As и GaP в качестве широкозонного окна кремниевого фотопреобразователя. Исследованы спектральные характеристики фотоэлементов на основе Al 0.3 Ga 0.7 As/Si и GaP/Si. Данные гетероструктуры могут быть использованы в качестве первого p-n-перехода многопереходного фотоэлектрического преобразователя на основе кремния. DOI: 10.21883/FTP.2017.03.44216.8299

The content you want is available to Zendy users.

Already have an account? Click here to sign in.

Having issues? You can contact us here

Accelerating Research