Вольт-амперные характеристики высоковольтных 4H-SiC p-=SUP=-+-=/SUP=--n-=SUB=-0-=/SUB=--n-=SUP=-+-=/SUP=--диодов в режиме лавинного пробоя | Zendy

P. A. Ivanov | Zendy; А. С. Потапов | Zendy; T. P. Samsonova | Zendy; I. V. Grekhov | Zendy

Open Access

Вольт-амперные характеристики высоковольтных 4H-SiC p-=SUP=-+-=/SUP=--n-=SUB=-0-=/SUB=--n-=SUP=-+-=/SUP=--диодов в режиме лавинного пробоя

Author(s) -

P. A. Ivanov,

А. С. Потапов,

T. P. Samsonova,

I. V. Grekhov

Publication year - 2017

Publication title -

физика и техника полупроводников

Language(s) - Russian

Resource type - Journals

eISSN - 1726-7315

pISSN - 0015-3222

DOI - 10.21883/ftp.2017.03.44214.8385

Subject(s) - physics , radiochemistry , chemistry

Изготовлены 4H-SiC p + -n 0 -n + -диоды с однородным лавинным пробоем при напряжении 1860 В. В лавинном режиме измерены импульсные вольт-амперные характеристики диодов до плотности тока 4000 А/см 2 . Показано,что напряжение лавинного пробоя растет при повышении температуры. Определены лавинное сопротивление диодов (8.6· 10 -2 Ом·см 2 ), скорость дрейфа электронов в n 0 -базе при полях выше 10 6 В/см (7.8· 10 6 см/c), относительный температурный коэффициент напряжения пробоя (2.1·10 -4 K -1 ). DOI: 10.21883/FTP.2017.03.44214.8385

The content you want is available to Zendy users.

Already have an account? Click here to sign in.

Having issues? You can contact us here

Accelerating Research