Open AccessВольт-амперные характеристики высоковольтных 4H-SiC p-=SUP=-+-=/SUP=--n-=SUB=-0-=/SUB=--n-=SUP=-+-=/SUP=--диодов в режиме лавинного пробоя
Author(s) -
П. А. Иванов,
А. С. Потапов,
T. P. Samsonova,
I. V. Grekhov
Publication year - 2017
Publication title -
fizika i tehnika poluprovodnikov
Language(s) - Russian
Resource type - Journals
eISSN - 1726-7315
pISSN - 0015-3222
DOI - 10.21883/ftp.2017.03.44214.8385
Subject(s) - physics , radiochemistry , chemistry
Изготовлены 4H-SiC p + -n 0 -n + -диоды с однородным лавинным пробоем при напряжении 1860 В. В лавинном режиме измерены импульсные вольт-амперные характеристики диодов до плотности тока 4000 А/см 2 . Показано,что напряжение лавинного пробоя растет при повышении температуры. Определены лавинное сопротивление диодов (8.6· 10 -2 Ом·см 2 ), скорость дрейфа электронов в n 0 -базе при полях выше 10 6 В/см (7.8· 10 6 см/c), относительный температурный коэффициент напряжения пробоя (2.1·10 -4 K -1 ). DOI: 10.21883/FTP.2017.03.44214.8385