Open AccessОсобенности вольт-фарадных характеристик МДП-структуры Cu-SiO-=SUB=-2-=/SUB=--p-InSb
Author(s) -
Р. А. Алиев,
Г.М. Гаджиев,
M. M. Gadzhialiev,
А. М. Исмаилов,
Z. Sh. Pirmagomedov
Publication year - 2017
Publication title -
fizika i tehnika poluprovodnikov
Language(s) - Russian
Resource type - Journals
eISSN - 1726-7315
pISSN - 0015-3222
DOI - 10.21883/ftp.2017.03.44212.8220
Subject(s) - file transfer protocol , materials science , optoelectronics , computer science , operating system , the internet
Измерены вольт-фарадные характеристики и проводимость МДП-структур на основе InSb при разных частотах измерительного сигнала с целью изучения влияния условий технологического синтеза на емкостные свойства данных структур. Обсуждается влияние положительного, встроенного в диэлектрик, заряда на измеренные характеристики образца, которое проявляется в виде резкого "переключения" емкости при смене полярности слабополевого внешнего воздействия (E<10 6 В/см). DOI: 10.21883/FTP.2017.03.44212.8220