Open AccessОптические свойства гибридных наноструктур "квантовая яма-точки", полученных методом МОС-гидридной эпитаксии
Author(s) -
С.А. Минтаиров,
Н.А. Калюжный,
А.М. Надточий,
М.В. Максимов,
S. Ruvimov,
А.Е. Жуков
Publication year - 2017
Publication title -
fizika i tehnika poluprovodnikov
Language(s) - Russian
Resource type - Journals
eISSN - 1726-7315
pISSN - 0015-3222
DOI - 10.21883/ftp.2017.03.44210.8394
Subject(s) - materials science , crystallography , chemistry
Показано, что осаждение In x Ga 1-x As с концентрацией индия от 0.3 до 0.5 и средней толщиной от 3 до 27 монослоев на подложку GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии при пониженных температурах роста приводит к возникновению модуляций толщины и концентрации атомов индия в формирующихся слоях. В силу их свойств, полученные наноструктуры могут быть отнесены к промежуточному типу между идеальными квантовыми ямами и квантовыми точками. В зависимости от толщины и состава InGaAs, длина волны максимума линии фотолюминесценции гибридных наноструктур квантовая яма-точки меняется от 950 до 1100 нм. Определены оптимальные толщины и составы осажденного In x Ga 1-x As, обеспечивающие максимальную длину волны излучения при сохранении высокой квантовой эффективности. DOI: 10.21883/FTP.2017.03.44210.8394