Оптические свойства гибридных наноструктур "квантовая яма-точки", полученных методом МОС-гидридной эпитаксии

Показано, что осаждение In x Ga 1-x As с концентрацией индия от 0.3 до 0.5 и средней толщиной от 3 до 27 монослоев на подложку GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии при пониженных температурах роста приводит к возникновению модуляций толщины и концентрации атомов индия в формирующихся слоях. В силу их свойств, полученные наноструктуры могут быть отнесены к промежуточному типу между идеальными квантовыми ямами и квантовыми точками. В зависимости от толщины и состава InGaAs, длина волны максимума линии фотолюминесценции гибридных наноструктур квантовая яма-точки меняется от 950 до 1100 нм. Определены оптимальные толщины и составы осажденного In x Ga 1-x As, обеспечивающие максимальную длину волны излучения при сохранении высокой квантовой эффективности. DOI: 10.21883/FTP.2017.03.44210.8394