
Температурные зависимости электрических параметров анизотипных гетеропереходов NiO/CdTe
Author(s) -
Hryhorii P. Parkhomenko,
М.Н. Солован,
А. И. Мостовой,
Костянтин Сергійович Ульяницький,
П. Д. Марьянчук
Publication year - 2017
Publication title -
fizika i tehnika poluprovodnikov
Language(s) - Russian
Resource type - Journals
eISSN - 1726-7315
pISSN - 0015-3222
DOI - 10.21883/ftp.2017.03.44207.8360
Subject(s) - non blocking i/o , cadmium telluride photovoltaics , materials science , chemistry , optoelectronics , catalysis , biochemistry
Изготовлены гетероструктуры NiO/CdTe методом реактивного магнетронного распыления. Измерены вольт-амперные характеристики при различных температурах. Установлено, что основными механизмами токопереноса через гетеропереход NiO/CdTe при прямых смещениях является генерационно-рекомбинационный и туннельный, а при обратных --- туннельный. Гетероструктуры генерируют напряжение холостого хода V oc =0.26 В и ток короткого замыкания I sc =58.7 мкА/см 2 при интенсивности освещения 80 мВт/см 2 . DOI: 10.21883/FTP.2017.03.44207.8360