Температурные зависимости электрических параметров анизотипных гетеропереходов NiO/CdTe | Zendy

Hryhorii P. Parkhomenko | Zendy; М. Н. Солован | Zendy; А. И. Мостовой | Zendy; Костянтин Сергійович Ульяницький | Zendy; П.Д. Марьянчук | Zendy

AI Assistant Blog Pricing

Home ZAIA Blog

Open Access

Температурные зависимости электрических параметров анизотипных гетеропереходов NiO/CdTe

Author(s) -

Hryhorii P. Parkhomenko,

М. Н. Солован,

А. И. Мостовой,

Костянтин Сергійович Ульяницький,

П.Д. Марьянчук

Publication year - 2017

Publication title -

физика и техника полупроводников

Language(s) - Russian

Resource type - Journals

eISSN - 1726-7315

pISSN - 0015-3222

DOI - 10.21883/ftp.2017.03.44207.8360

Subject(s) - non blocking i/o , cadmium telluride photovoltaics , materials science , chemistry , optoelectronics , catalysis , biochemistry

Изготовлены гетероструктуры NiO/CdTe методом реактивного магнетронного распыления. Измерены вольт-амперные характеристики при различных температурах. Установлено, что основными механизмами токопереноса через гетеропереход NiO/CdTe при прямых смещениях является генерационно-рекомбинационный и туннельный, а при обратных --- туннельный. Гетероструктуры генерируют напряжение холостого хода V oc =0.26 В и ток короткого замыкания I sc =58.7 мкА/см 2 при интенсивности освещения 80 мВт/см 2 . DOI: 10.21883/FTP.2017.03.44207.8360

The content you want is available to Zendy users.

Already have an account? Click here to sign in.

Having issues? You can contact us here

Accelerating Research