Open AccessРазрывы валентной зоны в напряженных слоях SiGeSn/Si с различным содержанием олова
Author(s) -
A. A. Bloshkin,
А.И. Якимов,
В. А. Тимофеев,
Artur Tuktamyshev,
A. I. Nikiforov,
В. В. Мурашов
Publication year - 2017
Publication title -
fizika i tehnika poluprovodnikov
Language(s) - Russian
Resource type - Journals
eISSN - 1726-7315
pISSN - 0015-3222
DOI - 10.21883/ftp.2017.03.44205.8343
Subject(s) - crystallography , materials science , chemistry , physics
Методом спектроскопии адмиттанса исследованы состояния дырок в квантовых ямах Si 0.7-y Ge 0.3 Sn y /Si в диапазоне содержания олова y=0.04-0.1. Установлено, что энергия связи дырки растет с увеличением содержания олова. В рамках 6-зонного kp-метода определены энергии размерного квантования дырок в структурах, содержащих псевдоморфный слой Si 0.7-y Ge 0.3 Sn y в матрице Si. Комбинацией результатов математического моделирования и экспериментальных данных определена величина разрыва валентной зоны на гетерогранице Si/Si 0.7-y Ge 0.3 Sn y . Установлено, что зависимость экспериментальных значений разрыва валентных зон между псевдоморфными слоями Si 0.7-y Ge 0.3 Sn y и Si от содержания олова описывается выражением Delta E V exp =(0.21±0.01)+(3.35±7.8·10 -4 )y эВ. DOI: 10.21883/FTP.2017.03.44205.8343