Разрывы валентной зоны в напряженных слоях SiGeSn/Si с различным содержанием олова

Методом спектроскопии адмиттанса исследованы состояния дырок в квантовых ямах Si 0.7-y Ge 0.3 Sn y /Si в диапазоне содержания олова y=0.04-0.1. Установлено, что энергия связи дырки растет с увеличением содержания олова. В рамках 6-зонного kp-метода определены энергии размерного квантования дырок в структурах, содержащих псевдоморфный слой Si 0.7-y Ge 0.3 Sn y в матрице Si. Комбинацией результатов математического моделирования и экспериментальных данных определена величина разрыва валентной зоны на гетерогранице Si/Si 0.7-y Ge 0.3 Sn y . Установлено, что зависимость экспериментальных значений разрыва валентных зон между псевдоморфными слоями Si 0.7-y Ge 0.3 Sn y и Si от содержания олова описывается выражением Delta E V exp =(0.21±0.01)+(3.35±7.8·10 -4 )y эВ. DOI: 10.21883/FTP.2017.03.44205.8343