Open AccessИзлучательные d-d-переходы на центрах вольфрама в полупроводниках А-=SUP=-II-=/SUP=-В-=SUP=-VI-=/SUP=-
Author(s) -
В. В. Ушаков,
В.С. Кривобок,
А.А. Пручкина
Publication year - 2017
Publication title -
fizika i tehnika poluprovodnikov
Language(s) - Russian
Resource type - Journals
eISSN - 1726-7315
pISSN - 0015-3222
DOI - 10.21883/ftp.2017.03.44203.8398
Subject(s) - physics , radiochemistry , chemistry , nuclear chemistry , crystallography , materials science
Исследованы спектры люминесценции примесных центров W в полупроводниках А II В VI ZnSe, CdS и CdSe. Обнаружено, что при переходе от электронной системы 3d-центров (Cr) к системе 5d-центров (W) происходит существенное изменение спектральных характеристик примесного излучения. Идентификация электронных переходов проведена по диаграммам Танабе-Сугано теории кристаллического поля. С учетом особенностей спектров установлено, что излучательные переходы на 5d-центрах W в исследованных кристаллах происходят в области слабого кристаллического поля между уровнями с различными значениями спина. DOI: 10.21883/FTP.2017.03.44203.8398