Излучательные d-d-переходы на центрах вольфрама в полупроводниках А-=SUP=-II-=/SUP=-В-=SUP=-VI-=/SUP=- | Zendy

В. В. Ушаков | Zendy; В.С. Кривобок | Zendy; А.А. Пручкина | Zendy

AI Assistant Blog Pricing

Home ZAIA Blog

Open Access

Излучательные d-d-переходы на центрах вольфрама в полупроводниках А-=SUP=-II-=/SUP=-В-=SUP=-VI-=/SUP=-

Author(s) -

В. В. Ушаков,

В.С. Кривобок,

А.А. Пручкина

Publication year - 2017

Publication title -

физика и техника полупроводников

Language(s) - Russian

Resource type - Journals

eISSN - 1726-7315

pISSN - 0015-3222

DOI - 10.21883/ftp.2017.03.44203.8398

Subject(s) - physics , radiochemistry , chemistry , nuclear chemistry , crystallography , materials science

Исследованы спектры люминесценции примесных центров W в полупроводниках А II В VI ZnSe, CdS и CdSe. Обнаружено, что при переходе от электронной системы 3d-центров (Cr) к системе 5d-центров (W) происходит существенное изменение спектральных характеристик примесного излучения. Идентификация электронных переходов проведена по диаграммам Танабе-Сугано теории кристаллического поля. С учетом особенностей спектров установлено, что излучательные переходы на 5d-центрах W в исследованных кристаллах происходят в области слабого кристаллического поля между уровнями с различными значениями спина. DOI: 10.21883/FTP.2017.03.44203.8398

The content you want is available to Zendy users.

Already have an account? Click here to sign in.

Having issues? You can contact us here

Accelerating Research