Open AccessГенерация терагерцевого излучения в низкотемпературных эпитаксиальных пленках InGaAs на подложках InP с ориентациями (100) и (411) A
Author(s) -
Г. Б. Галиев,
М. М. Грехов,
Г. Х. Китаева,
Е. А. Климов,
А. Н. Клочков,
O. S. Kolentsova,
V. V. Kornienko,
К. А. Кузнецов,
P. P. Maltsev,
С. С. Пушкарев
Publication year - 2017
Publication title -
fizika i tehnika poluprovodnikov
Language(s) - Russian
Resource type - Journals
eISSN - 1726-7315
pISSN - 0015-3222
DOI - 10.21883/ftp.2017.03.44201.8312
Subject(s) - indium phosphide , optoelectronics , materials science , gallium arsenide
Методом терагерцевой спектроскопии временного разрешения исследованы спектр и волновые формы импульсов широкополосного терагерцевого излучения, генерируемых низкотемпературными эпитаксиальными пленками In 0.53 Ga 0.47 As при накачке фемтосекундными лазерными импульсами. Пленки In 0.53 Ga 0.47 As были получены методом молекулярно-лучевой эпитаксии при температуре 200 o C и при различных давлениях мышьяка на подложках InP с ориентацией (100) и впервые на подложках InP с ориентацией (411)A. Исследованы морфология поверхности образцов с помощью атомно-силовой микроскопии и их структурное совершенство с помощью высокоразрешающей рентгеновской дифрактометрии. Обнаружено, что амплитуда терагерцевого излучения от слоев LT-InGaAs на подложках InP (411)A в 3-5 раз больше, чем от таких же слоев на подложках InP (100). DOI: 10.21883/FTP.2017.03.44201.8312