Генерация терагерцевого излучения в низкотемпературных эпитаксиальных пленках InGaAs на подложках InP с ориентациями (100) и (411) A | Zendy

Г. Б. Галиев | Zendy; М. М. Грехов | Zendy; G. Kh. Kitaeva | Zendy; E. A. Klimov | Zendy; А. Н. Клочков | Zendy; O. S. Kolentsova | Zendy; V. V. Kornienko | Zendy; К. А. Кузнецов | Zendy; P. P. Maltsev | Zendy; С. С. Пушкарев | Zendy

Open Access

Генерация терагерцевого излучения в низкотемпературных эпитаксиальных пленках InGaAs на подложках InP с ориентациями (100) и (411) A

Author(s) -

Г. Б. Галиев,

М. М. Грехов,

G. Kh. Kitaeva,

E. A. Klimov,

А. Н. Клочков,

O. S. Kolentsova,

V. V. Kornienko,

К. А. Кузнецов,

P. P. Maltsev,

С. С. Пушкарев

Publication year - 2017

Publication title -

физика и техника полупроводников

Language(s) - Russian

Resource type - Journals

eISSN - 1726-7315

pISSN - 0015-3222

DOI - 10.21883/ftp.2017.03.44201.8312

Subject(s) - indium phosphide , optoelectronics , materials science , gallium arsenide

Методом терагерцевой спектроскопии временного разрешения исследованы спектр и волновые формы импульсов широкополосного терагерцевого излучения, генерируемых низкотемпературными эпитаксиальными пленками In 0.53 Ga 0.47 As при накачке фемтосекундными лазерными импульсами. Пленки In 0.53 Ga 0.47 As были получены методом молекулярно-лучевой эпитаксии при температуре 200 o C и при различных давлениях мышьяка на подложках InP с ориентацией (100) и впервые на подложках InP с ориентацией (411)A. Исследованы морфология поверхности образцов с помощью атомно-силовой микроскопии и их структурное совершенство с помощью высокоразрешающей рентгеновской дифрактометрии. Обнаружено, что амплитуда терагерцевого излучения от слоев LT-InGaAs на подложках InP (411)A в 3-5 раз больше, чем от таких же слоев на подложках InP (100). DOI: 10.21883/FTP.2017.03.44201.8312

The content you want is available to Zendy users.

Already have an account? Click here to sign in.

Having issues? You can contact us here

Accelerating Research