Исследование структурных и оптических свойств слоев GaP(N), синтезированных методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложкаx Si(100) 4-=SUP=-o-=/SUP=- | Zendy

Н.В. Крыжановская | Zendy; Ю.С. Полубавкина | Zendy; В. Н. Неведомский | Zendy; E. V. Nikitina | Zendy; А. А. Лазаренко | Zendy; A. I. Egorov | Zendy; М. В. Максимов | Zendy; E. I. Moiseev | Zendy; A. E. Zhukov | Zendy

Open Access

Исследование структурных и оптических свойств слоев GaP(N), синтезированных методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложкаx Si(100) 4-=SUP=-o-=/SUP=-

Author(s) -

Н.В. Крыжановская,

Ю.С. Полубавкина,

В. Н. Неведомский,

E. V. Nikitina,

А. А. Лазаренко,

A. I. Egorov,

М. В. Максимов,

E. I. Moiseev,

A. E. Zhukov

Publication year - 2017

Publication title -

физика и техника полупроводников

Language(s) - Russian

Resource type - Journals

eISSN - 1726-7315

pISSN - 0015-3222

DOI - 10.21883/ftp.2017.02.44118.8375

Subject(s) - band gap , materials science , optoelectronics

Исследованы структурные и оптические свойства слоев GaP и GaPN, синтезированных методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках Si (100), разориентированных на 4 o . Показана возможность получения буферных слоев GaP, обладающих высокой планарностью гетероинтерфейсов с плотностью выходов дислокаций на поверхность не более ~2·10 8 см -2 . Получено излучение структуры Si/GaP/GaPN в спектральном диапазоне ~ 630-640 нм при комнатной температуре. Применение отжига в процессе роста структуры Si/GaP/GaPN позволило увеличить интенсивность фотолюминесценции при комнатной температуре в 2.6 раза без сдвига положения максимума линии излучения. DOI: 10.21883/FTP.2017.02.44118.8375

The content you want is available to Zendy users.

Already have an account? Click here to sign in.

Having issues? You can contact us here

Accelerating Research