Open AccessИсследование структурных и оптических свойств слоев GaP(N), синтезированных методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложкаx Si(100) 4-=SUP=-o-=/SUP=-
Author(s) -
Н.В. Крыжановская,
Ю.С. Полубавкина,
V. N. Nevedomskiy,
E. V. Nikitina,
А. А. Лазаренко,
A. I. Egorov,
М. В. Максимов,
E. I. Moiseev,
A. E. Zhukov
Publication year - 2017
Publication title -
fizika i tehnika poluprovodnikov
Language(s) - Russian
Resource type - Journals
eISSN - 1726-7315
pISSN - 0015-3222
DOI - 10.21883/ftp.2017.02.44118.8375
Subject(s) - band gap , materials science , optoelectronics
Исследованы структурные и оптические свойства слоев GaP и GaPN, синтезированных методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках Si (100), разориентированных на 4 o . Показана возможность получения буферных слоев GaP, обладающих высокой планарностью гетероинтерфейсов с плотностью выходов дислокаций на поверхность не более ~2·10 8 см -2 . Получено излучение структуры Si/GaP/GaPN в спектральном диапазоне ~ 630-640 нм при комнатной температуре. Применение отжига в процессе роста структуры Si/GaP/GaPN позволило увеличить интенсивность фотолюминесценции при комнатной температуре в 2.6 раза без сдвига положения максимума линии излучения. DOI: 10.21883/FTP.2017.02.44118.8375