Анализ влияния неодномерных эффектов на отпирающий ток управления тиристорных структур на основе 4H-SiC | Zendy

С.Н. Юрков | Zendy; T. T. Mnatsakanov | Zendy; M. E. Levinshteĭn | Zendy; A. G. Tandoev | Zendy; John W. Palmour | Zendy

AI Assistant Blog Pricing

Home ZAIA Blog

Open Access

Анализ влияния неодномерных эффектов на отпирающий ток управления тиристорных структур на основе 4H-SiC

Author(s) -

С.Н. Юрков,

T. T. Mnatsakanov,

M. E. Levinshteĭn,

A. G. Tandoev,

John W. Palmour

Publication year - 2017

Publication title -

физика и техника полупроводников

Language(s) - Russian

Resource type - Journals

eISSN - 1726-7315

pISSN - 0015-3222

DOI - 10.21883/ftp.2017.02.44111.8335

Subject(s) - file transfer protocol , materials science , computer science , operating system , the internet

Рассмотрено влияние неодномерных эффектов, обусловленных растеканием тока управления в базовом слое, на величину отпирающего тока управления тиристоров на основе 4H-SiC. Показано, что реализующийся в 4H-SiC тиристорах новый механизм переключения приводит к зависимости отпирающего тока управления от параметров тиристора, качественно отличающейся от соответствующей зависимости в традиционных кремниевых тиристорах. DOI: 10.21883/FTP.2017.02.44111.8335

The content you want is available to Zendy users.

Already have an account? Click here to sign in.

Having issues? You can contact us here

Accelerating Research