Open AccessЗарождение двумерных островков на Si(111) при высокотемпературном эпитаксиальном росте
Author(s) -
S. V. Sitnikov,
Sergey S. Kosolobov,
А. В. Латышев
Publication year - 2017
Publication title -
fizika i tehnika poluprovodnikov
Language(s) - Russian
Resource type - Journals
eISSN - 1726-7315
pISSN - 0015-3222
DOI - 10.21883/ftp.2017.02.44107.8332
Subject(s) - file transfer protocol , physics , computer science , operating system , the internet
Методом in situ сверхвысоковакуумной отражательной электронной микроскопии при высокотемпературном эпитаксиальном росте проведены исследования процесса зарождения двумерных островоков на ультраплоской поверхности Si(111). В интервале температур 900-1180 o C экспериментально измерен критический размер (D crit ) террасы, при достижении которого в центре зарождается двумерный островок, при различных потоках кремния на поверхность. Обнаружено, что D crit 2 степенным образом зависит от частоты зарождения островков с показателем степени chi=(0.9±0.05) во всем измеренном температурном интервале. Установлено, что кинетика зародышеобразования определяется диффузией адсорбированных атомов кремния вплоть до температуры 1180 o C, а минимальный критический размер зародыша соответствует 12 атомам кремния. DOI: 10.21883/FTP.2017.02.44107.8332