Зарождение двумерных островков на Si(111) при высокотемпературном эпитаксиальном росте

Методом in situ сверхвысоковакуумной отражательной электронной микроскопии при высокотемпературном эпитаксиальном росте проведены исследования процесса зарождения двумерных островоков на ультраплоской поверхности Si(111). В интервале температур 900-1180 o C экспериментально измерен критический размер (D crit ) террасы, при достижении которого в центре зарождается двумерный островок, при различных потоках кремния на поверхность. Обнаружено, что D crit 2 степенным образом зависит от частоты зарождения островков с показателем степени chi=(0.9±0.05) во всем измеренном температурном интервале. Установлено, что кинетика зародышеобразования определяется диффузией адсорбированных атомов кремния вплоть до температуры 1180 o C, а минимальный критический размер зародыша соответствует 12 атомам кремния. DOI: 10.21883/FTP.2017.02.44107.8332