Open AccessСпектры электроотражения множественных квантовых ям InGaN/GaN, помещенных в неоднородное электрическое поле p-n-перехода
Author(s) -
Л.П. Авакянц,
А.Э. Асланян,
П.Ю. Боков,
К.Ю. Положенцев,
А.В. Червяков
Publication year - 2017
Publication title -
fizika i tehnika poluprovodnikov
Language(s) - Russian
Resource type - Journals
eISSN - 1726-7315
pISSN - 0015-3222
DOI - 10.21883/ftp.2017.02.44104.8271
Subject(s) - file transfer protocol , materials science , optoelectronics , computer science , operating system , the internet
В спектрах электроотражения гетероструктуры GaN/InGaN/AlGaN обнаружена линия E=2.77 эВ шириной Gamma=88 мэВ, связанная с межзонными переходами в области множественных квантовых ям активной области. При уменьшении амплитуды модулирующего напряжения от 2.9 до 0.4 В наблюдается расщепление этой линии на две с энергиями E 1 =2.55 эВ и E 2 = 2.75 эВ, ширины которых составляют Gamma 1 =66 мэВ и Gamma 2 = 74 мэВ соответственно. Это указывает на то, что эти линии обусловлены межзонными переходами в отдельных квантовых ямах активной области. Различие энергий межзонных переходов E 1 и E 2 в идентичных квантовых ямах активной области связано с тем, что квантовые ямы помещены в неоднородное электрическое поле. В работе оценивались модули напряженности электрических полей в отдельных квантовых ямах активной области гетероструктуры. Их значения составили 1.6 и 2.2 МВ/см. DOI: 10.21883/FTP.2017.02.44104.8271