Комбинационное рассеяние света в InP, легированном имплантацией ионов Be-=SUP=-+-=/SUP=-

Кристаллы InP с ориентацией (100), имплантированные ионами Be + с энергией 100 кэВ и дозами 10 13 -10 15 см -2 , исследованы методом спектроскопии комбинационного рассеяния света до и после термического отжига при температурах 300-850 o C. Обнаружено, что с ростом дозы имплантированных ионов приповерхностная область InP частично аморфизуется, при этом спектральные линии, связанные с продольными колебаниями решетки претерпевают низкочастотный сдвиг и неоднородное уширение, что свидетельствует о формировании нанокристаллической фазы. Термический отжиг приводит к восстановлению кристаллической структуры InP. При температурах отжига >700 o C в спектрах комбинационного рассеяния обнаружено рассеяние на связанных фонон-плазмонных модах, что объясняется электрической активацией примеси. По частоте связанной фонон-плазмонной моды в модели двухосцилляторной диэлектрической функции оценена концентрация тяжелых дырок. DOI: 10.21883/FTP.2017.02.44100.8310