Open AccessКомбинационное рассеяние света в InP, легированном имплантацией ионов Be-=SUP=-+-=/SUP=-
Author(s) -
Л.П. Авакянц,
П.Ю. Боков,
А.В. Червяков
Publication year - 2017
Publication title -
fizika i tehnika poluprovodnikov
Language(s) - Russian
Resource type - Journals
eISSN - 1726-7315
pISSN - 0015-3222
DOI - 10.21883/ftp.2017.02.44100.8310
Subject(s) - indium phosphide , materials science , radiochemistry , chemistry , optoelectronics , gallium arsenide
Кристаллы InP с ориентацией (100), имплантированные ионами Be + с энергией 100 кэВ и дозами 10 13 -10 15 см -2 , исследованы методом спектроскопии комбинационного рассеяния света до и после термического отжига при температурах 300-850 o C. Обнаружено, что с ростом дозы имплантированных ионов приповерхностная область InP частично аморфизуется, при этом спектральные линии, связанные с продольными колебаниями решетки претерпевают низкочастотный сдвиг и неоднородное уширение, что свидетельствует о формировании нанокристаллической фазы. Термический отжиг приводит к восстановлению кристаллической структуры InP. При температурах отжига >700 o C в спектрах комбинационного рассеяния обнаружено рассеяние на связанных фонон-плазмонных модах, что объясняется электрической активацией примеси. По частоте связанной фонон-плазмонной моды в модели двухосцилляторной диэлектрической функции оценена концентрация тяжелых дырок. DOI: 10.21883/FTP.2017.02.44100.8310