Электрофизические свойства и механизмы переноса в тонких пленках материалов фазовой памяти на основе халькогенидных полупроводников квазибинарного разреза GeTe-Sb-=SUB=-2-=/SUB=-Te-=SUB=-3-=/SUB=- | Zendy

А. А. Шерченков | Zendy; С.А. Козюхин | Zendy; П.И. Лазаренко | Zendy; Alexey Babich | Zendy; Н.А. Богословский | Zendy; I. V. Sagunova | Zendy; E. N. Redichev | Zendy

Open Access

Электрофизические свойства и механизмы переноса в тонких пленках материалов фазовой памяти на основе халькогенидных полупроводников квазибинарного разреза GeTe-Sb-=SUB=-2-=/SUB=-Te-=SUB=-3-=/SUB=-

Author(s) -

А. А. Шерченков,

С.А. Козюхин,

П.И. Лазаренко,

Alexey Babich,

Н.А. Богословский,

I. V. Sagunova,

E. N. Redichev

Publication year - 2017

Publication title -

физика и техника полупроводников

Language(s) - Russian

Resource type - Journals

eISSN - 1726-7315

pISSN - 0015-3222

DOI - 10.21883/ftp.2017.02.44096.8270

Subject(s) - antimony , tellurium , materials science , file transfer protocol , crystallography , physics , chemistry , metallurgy , computer science , operating system , the internet

Исследованы температурные зависимости удельного сопротивления и вольт-амперных характеристик тонких пленок материалов фазовой памяти на основе халькогенидных полупроводников квазибинарного разреза GeTe-Sb 2 Te 3 : Ge 2 Sb 2 Te 5 , GeSb 2 Te 4 и GeSb 4 Te 7 . Изучено влияние изменения состава по линии квазибинарного разреза на электрофизические характеристики и механизмы переноса тонких пленок. Установлено наличие трех диапазонов с различной зависимостью между током и напряжением. Оценено положение и концентрация энергетических уровней, контролирующих перенос носителей. Полученные результаты показывают, что электрофизические свойства тонких пленок могут существенно изменяться при движении вдоль линии квазибинарного разреза GeTe-Sb 2 Te 3 , что важно для целенаправленной оптимизации технологии фазовой памяти. DOI: 10.21883/FTP.2017.02.44096.8270

The content you want is available to Zendy users.

Already have an account? Click here to sign in.

Having issues? You can contact us here

Accelerating Research