Open AccessЭлектрофизические свойства и механизмы переноса в тонких пленках материалов фазовой памяти на основе халькогенидных полупроводников квазибинарного разреза GeTe-Sb-=SUB=-2-=/SUB=-Te-=SUB=-3-=/SUB=-
Author(s) -
А. А. Шерченков,
С.А. Козюхин,
П. И. Лазаренко,
А. В. Бабич,
Н.А. Богословский,
I. V. Sagunova,
E. N. Redichev
Publication year - 2017
Publication title -
fizika i tehnika poluprovodnikov
Language(s) - Russian
Resource type - Journals
eISSN - 1726-7315
pISSN - 0015-3222
DOI - 10.21883/ftp.2017.02.44096.8270
Subject(s) - antimony , tellurium , materials science , file transfer protocol , crystallography , physics , chemistry , metallurgy , computer science , operating system , the internet
Исследованы температурные зависимости удельного сопротивления и вольт-амперных характеристик тонких пленок материалов фазовой памяти на основе халькогенидных полупроводников квазибинарного разреза GeTe-Sb 2 Te 3 : Ge 2 Sb 2 Te 5 , GeSb 2 Te 4 и GeSb 4 Te 7 . Изучено влияние изменения состава по линии квазибинарного разреза на электрофизические характеристики и механизмы переноса тонких пленок. Установлено наличие трех диапазонов с различной зависимостью между током и напряжением. Оценено положение и концентрация энергетических уровней, контролирующих перенос носителей. Полученные результаты показывают, что электрофизические свойства тонких пленок могут существенно изменяться при движении вдоль линии квазибинарного разреза GeTe-Sb 2 Te 3 , что важно для целенаправленной оптимизации технологии фазовой памяти. DOI: 10.21883/FTP.2017.02.44096.8270