Текстура поверхности монокристаллического кремния, окисленного под тонким слоем V-=SUB=-2-=/SUB=-O-=SUB=-5-=/SUB=-

Исследован процесс текстурирования поверхности монокристаллического кремния, окисленного под слоем V 2 O 5 . Интенсивное окисление кремния на границе Si-V 2 O 5 начинается при температуре 903 K, что на 200 K ниже, чем при термическом окислении кремния в атмосфере кислорода. На границе V 2 O 5 -Si образуется слой диоксида кремния толщиной от 30-50 нм с включениями SiO 2 в кремний глубиной до 400 нм. Найдено значение коэффициента диффузии атомарного кислорода при 903 K через слой диоксида кремния (D≥2·10 -15 см 2 ·с -1 ). Предложена модель низкотемпературного окисления кремния, основанная на диффузии атомарного кислорода из V 2 O 5 через слой SiO 2 к кремнию и возникновении преципитатов SiO x в кремнии. После удаления слоев V 2 O 5 и диоксида кремния на поверхности кремния образуется текстура, интенсивно рассеивающая свет в области длин волн 300-550 нм, что важно для текстурирования фронтальной и тыльной поверхностей солнечных фотопреобразователей. DOI: 10.21883/FTP.2017.01.8292