Open AccessТекстура поверхности монокристаллического кремния, окисленного под тонким слоем V-=SUB=-2-=/SUB=-O-=SUB=-5-=/SUB=-
Author(s) -
С. Е. Никитин,
А. В. Нащекин,
E. E. Terukova,
И. Н. Трапезникова,
A. V. Bobyl,
В.Н. Вербицкий
Publication year - 2017
Publication title -
fizika i tehnika poluprovodnikov
Language(s) - Russian
Resource type - Journals
eISSN - 1726-7315
pISSN - 0015-3222
DOI - 10.21883/ftp.2017.01.44004.8292
Subject(s) - file transfer protocol , materials science , crystallography , chemistry , analytical chemistry (journal) , physics , computer science , operating system , the internet , environmental chemistry
Исследован процесс текстурирования поверхности монокристаллического кремния, окисленного под слоем V 2 O 5 . Интенсивное окисление кремния на границе Si-V 2 O 5 начинается при температуре 903 K, что на 200 K ниже, чем при термическом окислении кремния в атмосфере кислорода. На границе V 2 O 5 -Si образуется слой диоксида кремния толщиной от 30-50 нм с включениями SiO 2 в кремний глубиной до 400 нм. Найдено значение коэффициента диффузии атомарного кислорода при 903 K через слой диоксида кремния (D≥2·10 -15 см 2 ·с -1 ). Предложена модель низкотемпературного окисления кремния, основанная на диффузии атомарного кислорода из V 2 O 5 через слой SiO 2 к кремнию и возникновении преципитатов SiO x в кремнии. После удаления слоев V 2 O 5 и диоксида кремния на поверхности кремния образуется текстура, интенсивно рассеивающая свет в области длин волн 300-550 нм, что важно для текстурирования фронтальной и тыльной поверхностей солнечных фотопреобразователей. DOI: 10.21883/FTP.2017.01.8292