Open AccessВлияние двух- и трехслойных просветляющих покрытий на формирование фототоков в многопереходных солнечных элементах на основе A-=SUP=-III-=/SUP=-B-=SUP=-V-=/SUP=-
Author(s) -
С.Б. Мусалинов,
А.П. Анзулевич,
Igor V. Bychkov,
А.С. Гудовских,
Михаил Зиновьевич Шварц
Publication year - 2017
Publication title -
fizika i tehnika poluprovodnikov
Language(s) - Russian
Resource type - Journals
eISSN - 1726-7315
pISSN - 0015-3222
DOI - 10.21883/ftp.2017.01.44001.8355
Subject(s) - materials science , crystallography , chemistry
Представлены результаты моделирования методом матриц переноса двухслойного, TiO 2 /SiO 2 , и трехслойного, TiO 2 /Si 3 N 4 /SiO 2 , просветляющих покрытий для многопереходных гетероструктурных солнечных элементов InGaP/GaAs/Ge. Экспериментально получено и оптимизировано двухслойное просветляющее покрытие TiO 2 /SiO 2 . С использованием экспериментальных спектральных зависимостей квантового выхода фотоответа солнечного элемента InGaP/GaAs/Ge и оптических характеристик просветляющих покрытий, полученных при моделировании, определены значения плотностей фототоков отдельных каскадов трехпереходного солнечного элемента для условий облучения AM1.5D (1000 Вт/м 2 ), а также для случая отсутствия потерь на отражение. В рамках моделирования показано, что оптимизированное трехслойное просветляющее покрытие TiO 2 /Si 3 N 4 /SiO 2 дает выигрыш в величине плотности фототока на 2.3 мА/см 2 (AM1.5D) для Ge-субэлемента по сравнению с рассматриваемым вариантом двухслойного просветляющего покрытия TiO 2 /SiO 2 , обеспечивая тем самым рост коэффициента заполнения вольт-амперной характеристики и выходной электрической мощности многопереходного солнечного элемента. DOI: 10.21883/FTP.2017.01.8355