Формирование и свойства захороненного изолирующего слоя двуокиси кремния в двухслойных структурах "пористый кремний-на-изоляторе" | Zendy

В. В. Болотов | Zendy; Е.В. Князев | Zendy; И. П. Пономарева | Zendy; В.Е. Кан | Zendy; N. A. Davletkildeev | Zendy; К.Е. Ивлев | Zendy; В.Е. Росликов | Zendy

Open Access

Формирование и свойства захороненного изолирующего слоя двуокиси кремния в двухслойных структурах "пористый кремний-на-изоляторе"

Author(s) -

В. В. Болотов,

Е.В. Князев,

И. П. Пономарева,

В.Е. Кан,

N. A. Davletkildeev,

К.Е. Ивлев,

В.Е. Росликов

Publication year - 2017

Publication title -

физика и техника полупроводников

Language(s) - Russian

Resource type - Journals

eISSN - 1726-7315

pISSN - 0015-3222

DOI - 10.21883/ftp.2017.01.43995.8246

Subject(s) - file transfer protocol , computer science , operating system , the internet

Изучен процесс окисления мезопористого кремния в двухслойной структуре "макропористый кремний-мезопористый кремний". Методами электронной микроскопии, эллипсометрии, электрофизическими измерениями исследована морфология и диэлектрические свойства получаемого слоя захороненного диэлектрика. Определено наличие специфического вида дефектов "шипов", возникающих при окислении стенок макропор в макропористом кремнии, границ пересечения фронтов окисления мезопористого кремния. Установлено, что при исходной пористости мезопористого кремния 60% и трехстадийном термическом окислении формируются захороненные слои двуокиси кремния с напряженностью электрического поля пробоя E br ~ 10 4 -10 5 В/cм. Показана перспективность применения многослойных структур "пористый кремний-на-изоляторе" в интегрированных химических микро- и наносенсорах. DOI: 10.21883/FTP.2017.01.8246

The content you want is available to Zendy users.

Already have an account? Click here to sign in.

Having issues? You can contact us here

Accelerating Research