
Формирование и свойства захороненного изолирующего слоя двуокиси кремния в двухслойных структурах "пористый кремний-на-изоляторе"
Author(s) -
В.В. Болотов,
Е.В. Князев,
И. П. Пономарева,
В.Е. Кан,
N. A. Davletkildeev,
К.Е. Ивлев,
В.Е. Росликов
Publication year - 2017
Publication title -
fizika i tehnika poluprovodnikov
Language(s) - Russian
Resource type - Journals
eISSN - 1726-7315
pISSN - 0015-3222
DOI - 10.21883/ftp.2017.01.43995.8246
Subject(s) - file transfer protocol , computer science , operating system , the internet
Изучен процесс окисления мезопористого кремния в двухслойной структуре "макропористый кремний-мезопористый кремний". Методами электронной микроскопии, эллипсометрии, электрофизическими измерениями исследована морфология и диэлектрические свойства получаемого слоя захороненного диэлектрика. Определено наличие специфического вида дефектов "шипов", возникающих при окислении стенок макропор в макропористом кремнии, границ пересечения фронтов окисления мезопористого кремния. Установлено, что при исходной пористости мезопористого кремния 60% и трехстадийном термическом окислении формируются захороненные слои двуокиси кремния с напряженностью электрического поля пробоя E br ~ 10 4 -10 5 В/cм. Показана перспективность применения многослойных структур "пористый кремний-на-изоляторе" в интегрированных химических микро- и наносенсорах. DOI: 10.21883/FTP.2017.01.8246