Квантовый эффект Холла и прыжковая проводимость в наногетероструктурах n-InGaAs/InAlAs | Zendy

С.В. Гудина | Zendy; Ю.Г. Арапов | Zendy; А.П. Савельев | Zendy; В.Н. Неверов | Zendy; С.М. Подгорных | Zendy; Н.Г. Шелушинина | Zendy; М.В. Якунин | Zendy; И.С. Васильевский | Zendy; А.Н. Виниченко | Zendy

AI Assistant Blog Pricing

Home ZAIA Blog

Open Access

Квантовый эффект Холла и прыжковая проводимость в наногетероструктурах n-InGaAs/InAlAs

Author(s) -

С.В. Гудина,

Ю.Г. Арапов,

А.П. Савельев,

В.Н. Неверов,

С.М. Подгорных,

Н.Г. Шелушинина,

М.В. Якунин,

И.С. Васильевский,

А.Н. Виниченко

Publication year - 2016

Publication title -

физика и техника полупроводников

Language(s) - Russian

Resource type - Journals

eISSN - 1726-7315

pISSN - 0015-3222

DOI - 10.21883/ftp.2016.12.43897.43

Subject(s) - materials science , optoelectronics

Измерены продольное и холловское магнитосопротивления в режиме квантового эффекта Холла в гетероструктурах n-InGaAs/InAlAs при температурах T=(1.8-30) K в магнитных полях до B=9 Tл. Температурно-индуцированный транспорт в области минимумов продольного сопротивления, соответствующих областям плато на холловском сопротивлении, был исследован в рамках концепции прыжковой проводимости в сильно локализованной электронной системе. Анализ проводимости с переменной длиной прыжка в областях второго, третьего и четвертого плато квантового эффекта Холла дал возможность определить критические индексы длины локализации.

The content you want is available to Zendy users.

Already have an account? Click here to sign in.

Having issues? You can contact us here

Accelerating Research