Open AccessКвантовый эффект Холла и прыжковая проводимость в наногетероструктурах n-InGaAs/InAlAs
Author(s) -
С.В. Гудина,
Ю.Г. Арапов,
А.П. Савельев,
В.Н. Неверов,
С.М. Подгорных,
Н.Г. Шелушинина,
М.В. Якунин,
И.С. Васильевский,
А.Н. Виниченко
Publication year - 2016
Publication title -
fizika i tehnika poluprovodnikov
Language(s) - Russian
Resource type - Journals
eISSN - 1726-7315
pISSN - 0015-3222
DOI - 10.21883/ftp.2016.12.43897.43
Subject(s) - materials science , optoelectronics
Измерены продольное и холловское магнитосопротивления в режиме квантового эффекта Холла в гетероструктурах n-InGaAs/InAlAs при температурах T=(1.8-30) K в магнитных полях до B=9 Tл. Температурно-индуцированный транспорт в области минимумов продольного сопротивления, соответствующих областям плато на холловском сопротивлении, был исследован в рамках концепции прыжковой проводимости в сильно локализованной электронной системе. Анализ проводимости с переменной длиной прыжка в областях второго, третьего и четвертого плато квантового эффекта Холла дал возможность определить критические индексы длины локализации.