Исследование генерации СВЧ сигналов в планарном диоде Ганна с учетом радиационного облучения

Теоретически исследована генерация СВЧ сигнала в планарных диодах Ганна с двумерным электронным газом, в которых ранее нами исследовался стационарный транспорт электронов. Рассмотрены возможности использования управляющего электрода, аналогичного затвору полевого транзистора, для управления параметрами выходного СВЧ сигнала диода. Проведено сравнение результатов физико-топологического моделирования для полупроводниковых структур с различной конструкцией активной области диодов --- без квантовой ямы, с одной и двумя квантовыми ямами, разделенными потенциальным барьером. Результаты расчетов сопоставлены с полученными нами ранее экспериментальными данными по регистрации ганновской генерации в полевом транзисторе с затвором Шоттки. Теоретически и экспериментально показано, что мощность сигнала, генерируемого планарным диодом Ганна с квантовой ямой и управляющим электродом, достаточна для реализации монолитных интегральных схем (МИС) различного функционального назначения. Теоретически и экспериментально показано, что благодаря использованию управляющего электрода за счет введения корректирующей обратной связи возможно значительное увеличение радиационной стойкости СВЧ генератора полевых транзисторов с затвором Шоттки.