Open AccessМагнитоспектроскопия двойных квантовых ям HgTe/CdHgTe
Author(s) -
L. S. Bovkun,
С. С. Криштопенко,
А. В. Иконников,
В.Я. Алешкин,
А. М. Кадыков,
Sandra Ruffenach,
Christophe Conséjo,
Ф. Теппе,
Wojciech Knap,
М. Орлита,
B. A. Piot,
М. Потемски,
N. N. Mikhaĭlov,
С. А. Дворецкий,
В. И. Гавриленко
Publication year - 2016
Publication title -
fizika i tehnika poluprovodnikov
Language(s) - Russian
Resource type - Journals
eISSN - 1726-7315
pISSN - 0015-3222
DOI - 10.21883/ftp.2016.11.43790.22
Subject(s) - materials science , optoelectronics
Исследованы спектры магнитопоглощения в двойных квантовых ямах HgTe/CdHgTe с нормальным и инвертированным зонным спектром. На основе модели Кейна 8·8 рассчитаны уровни Ландау в симметричных квантовых ямах с прямоугольным профилем потенциала. Показано, что наличие туннельно-прозрачного барьера приводит к расщеплению состояний и "удвоению" основных линий магнитопоглощения. При ширине ям, близкой к критической, для структуры с одиночной квантовой ямой показаны наличие инверсии зон и возникновение бесщелевой зонной структуры, как в двухслойном графене. Обнаружен сдвиг линий магнитопоглощения при изменении концентрации носителей за счет эффекта остаточной фотопроводимости, связываемый с изменением профиля потенциала при перезарядке ловушек, что открывает возможность управления топологическими фазовыми переходами в таких структурах.