Моделирование транспорта электронов в малопериодных GaAs/AlAs сверхрешетках для терагерцового диапазона частот | Zendy

D. G. Pavel’ev | Zendy; А. П. Васильев | Zendy; Владимир Козлов | Zendy; Ю.И. Кошуринов | Zendy; Е.С. Оболенская | Zendy; С. В. Оболенский | Zendy; V. M. Ustinov | Zendy

AI Assistant Blog Pricing

Home ZAIA Blog

Open Access

Моделирование транспорта электронов в малопериодных GaAs/AlAs сверхрешетках для терагерцового диапазона частот

Author(s) -

D. G. Pavel’ev,

А. П. Васильев,

Владимир Козлов,

Ю.И. Кошуринов,

Е.С. Оболенская,

С. В. Оболенский,

V. M. Ustinov

Publication year - 2016

Publication title -

физика и техника полупроводников

Language(s) - Russian

Resource type - Journals

eISSN - 1726-7315

pISSN - 0015-3222

DOI - 10.21883/ftp.2016.11.43789.21

Subject(s) - materials science , optoelectronics

Методом Монте--Карло рассчитан транспорт электронов в сверхрешетках на основе гетероструктур GaAs/AlAs с небольшим числом периодов (6 периодов). Эти сверхрешетки используются в диодах, работающих в качестве гармонических смесителей для стабилизации частоты квантовых каскадных лазеров до 5 ТГц. Рассмотрена зонная структура сверхрешеток с различным количеством монослоев AlAs и проведен расчет вольт-амперных характеристик. Проведено сравнение рассчитанных вольт-амперных характеристик сверхрешеток с экспериментом. Теоретически и экспериментально установлена возможность эффективного применения таких сверхрешеток в терагерцовом диапазоне частот.

The content you want is available to Zendy users.

Already have an account? Click here to sign in.

Having issues? You can contact us here

Accelerating Research