z-logo
open-access-imgOpen Access
Моделирование транспорта электронов в малопериодных GaAs/AlAs сверхрешетках для терагерцового диапазона частот
Author(s) -
Д.Г. Павельев,
А. П. Васильев,
В. А. Козлов,
Ю.И. Кошуринов,
Е.С. Оболенская,
С. В. Оболенский,
V. M. Ustinov
Publication year - 2016
Publication title -
fizika i tehnika poluprovodnikov
Language(s) - Russian
Resource type - Journals
eISSN - 1726-7315
pISSN - 0015-3222
DOI - 10.21883/ftp.2016.11.43789.21
Subject(s) - materials science , optoelectronics
Методом Монте--Карло рассчитан транспорт электронов в сверхрешетках на основе гетероструктур GaAs/AlAs с небольшим числом периодов (6 периодов). Эти сверхрешетки используются в диодах, работающих в качестве гармонических смесителей для стабилизации частоты квантовых каскадных лазеров до 5 ТГц. Рассмотрена зонная структура сверхрешеток с различным количеством монослоев AlAs и проведен расчет вольт-амперных характеристик. Проведено сравнение рассчитанных вольт-амперных характеристик сверхрешеток с экспериментом. Теоретически и экспериментально установлена возможность эффективного применения таких сверхрешеток в терагерцовом диапазоне частот.

The content you want is available to Zendy users.

Already have an account? Click here to sign in.
Having issues? You can contact us here