Open AccessЭпитаксиальные слои GaN на подложках лангасита, полученные методом МПЭ с плазменной активацией азота
Author(s) -
Д.Н. Лобанов,
А.В. Новиков,
П.А. Юнин,
Е.В. Скороходов,
М.В. Шалеев,
М. Н. Дроздов,
O. I. Khrykin,
О.А. Бузанов,
В.В. Аленков,
П.И. Фоломин,
А.Б. Гриценко
Publication year - 2016
Publication title -
fizika i tehnika poluprovodnikov
Language(s) - Russian
Resource type - Journals
eISSN - 1726-7315
pISSN - 0015-3222
DOI - 10.21883/ftp.2016.11.43786.18
Subject(s) - materials science , chemistry , optoelectronics
Представлены результаты отработки технологии эпитаксиального роста GaN на подложках из монокристаллического лангасита La 3 Ga 5 SiO 14 (0001) методом МПЭ ПА. Выполнены исследования влияния температуры осаждаемого на начальном этапе низкотемпературного слоя GaN на кристаллическое качество и морфологию всего слоя нитрида галлия. Продемонстрировано, что оптимальная температура осаждения начального (зародышевого) слоя GaN при его росте на подложках из лангасита составляет ~520 o C. Понижение температуры роста до этого значения позволяет подавить диффузию кислорода из лангасита в растущий слой и уменьшить плотность прорастающих дислокаций в основном слое GaN при его последующем более высокотемпературном осаждении (~700 o C). Дальнейшее понижение температуры роста зародышевого слоя приводит к резкой деградации кристаллического качества GaN/LGS слоев. В результате проведенных исследований были получены эпитаксиальные слои GaN/LGS с плотностью прорастающих дислокаций ~10 11 см -2 и низкой (<2 нм) шероховатостью поверхности.