Краевая и дефектная люминесценция мощных InGaN/GaN ультрафиолетовых светоизлучающих диодов

Приведены результаты исследования спектрального состава излучения ультрафиолетовых InGaN/GaN светоизлучающих диодов и его зависимости от текущего через структуру тока. Интенсивность ультрафиолетового вклада в интегральную люминесценцию диода монотонно возрастает с ростом плотности текущего через структуру тока, несмотря на падение квантовой эффективности излучения. Установлены условия возбуждения электролюминесценции, позволяющие увеличить долю ультрафиолетового излучения до 97%. Показано, что неоднородная генерация протяженных дефектов, пронизывающих активную область светодиодов в процессе деградации структур при локальном токовом перегреве уменьшает интегральную интенсивность излучения, но не оказывает влияния на относительную интенсивность излучения диода в ультрафиолетовой (370 нм) и видимой (550 нм) областях спектра.