Анизотропия магнитоемкости структур на основе пленок PbSnTe : In/BaF-=SUB=-2-=/SUB=-

При T=4.2 K экспериментально исследованы угловые зависимости емкости структур на основе пленок PbSnTe<In> в магнитном поле B≤4 Тл при различном напряжении смещения, имеющие выраженный анизотропный характер по направлению магнитного поля с модуляцией емкости примерно в 1.5-2 раза. Проведено сравнение полученных данных с экспериментальными анизотропными угловыми зависимостями тока, ограниченного пространственным зарядом, с модуляцией величины тока до 10 2 -10 4 раз и более. Рассмотрена качественная модель полученных результатов.