Электролюминесценция кремниевых МОП структур с массивами наноостровков Ge(Si)

В настоящем сообщении представлены результаты экспериментов по наблюдению электролюминесценции из кремниевых структур металл--окисел-полупроводник (МОП) с массивами самоформирующихся наноостровков Ge(Si) и оксидом алюминия Al 2 O 3 в качестве изолирующего слоя. Проанализированы изменения в спектрах электролюминесценции МОП структур, вызываемые изменением работы выхода металла. При комнатной температуре наблюдалась интенсивная электролюминесценции наноостровков Ge(Si), удаленных на расстояние ~50 нм от интерфейса окисел--полупроводник. Показано, что, выбирая соответствующие параметры полупроводниковой структуры и высоту барьера для инжектируемых носителей, можно управлять спектром излучения МОП структуры.