Open AccessЭлектролюминесценция кремниевых МОП структур с массивами наноостровков Ge(Si)
Author(s) -
V. B. Shmagin,
С. Н. Вдовичев,
Е. М. Морозова,
А. В. Новиков,
М. В. Шалеев,
D. V. Shengurov,
Z. F. Krasilnik
Publication year - 2016
Publication title -
fizika i tehnika poluprovodnikov
Language(s) - Russian
Resource type - Journals
eISSN - 1726-7315
pISSN - 0015-3222
DOI - 10.21883/ftp.2016.11.43780.12
Subject(s) - materials science
В настоящем сообщении представлены результаты экспериментов по наблюдению электролюминесценции из кремниевых структур металл--окисел-полупроводник (МОП) с массивами самоформирующихся наноостровков Ge(Si) и оксидом алюминия Al 2 O 3 в качестве изолирующего слоя. Проанализированы изменения в спектрах электролюминесценции МОП структур, вызываемые изменением работы выхода металла. При комнатной температуре наблюдалась интенсивная электролюминесценции наноостровков Ge(Si), удаленных на расстояние ~50 нм от интерфейса окисел--полупроводник. Показано, что, выбирая соответствующие параметры полупроводниковой структуры и высоту барьера для инжектируемых носителей, можно управлять спектром излучения МОП структуры.