Open AccessФормирование контактов MnGa/GaAs для применений в оптоэлектронике и спинтронике
Author(s) -
М.В. Дорохин,
Д.А. Павлов,
А.И. Бобров,
Ю.А. Данилов,
В.П. Лесников,
Б.Н. Звонков,
А.В. Здоровейщев,
А.В. Кудрин,
П.Б. Демина,
Ю.В. Усов,
Д.Е. Николичев,
Р.Н. Крюков,
С.Ю. Зубков
Publication year - 2016
Publication title -
fizika i tehnika poluprovodnikov
Language(s) - Russian
Resource type - Journals
eISSN - 1726-7315
pISSN - 0015-3222
DOI - 10.21883/ftp.2016.11.43774.6
Subject(s) - materials science , crystallography , chemistry
Исследованы кристаллическая структура, состав, магнитные и электротранспортные свойств слоев Mn x Ga y , осажденных на поверхность GaAs методами импульсного лазерного осаждения в потоке водорода, импульсного лазерного осаждения в вакууме и электронно-лучевого испарения в высоком вакууме. Показано, что особенности каждого из методов оказывают влияние на состав и кристаллическую структуру формируемых слоев, на степень резкости и кристаллического совершенства гетерограницы. Состав и кристаллическая структура, предположительно, обусловливают модификацию ферромагнитных свойств. Дефекты гетерограницы оказывают влияние на свойства диодной структуры Mn x Ga y /GaAs, в частности на высоту потенциального барьера диода Шоттки.