Open AccessСильно легированные слои GaAs : Te, полученные в процессе МОГФЭ с использованием диизопропилтеллурида в качестве источника
Author(s) -
В.М. Данильцев,
Е.В. Демидов,
М.Н. Дроздов,
Ю Н Дроздов,
С.А. Краев,
Е.А. Суровегина,
В.И. Шашкин,
П.А. Юнин
Publication year - 2016
Publication title -
fizika i tehnika poluprovodnikov
Language(s) - Russian
Resource type - Journals
eISSN - 1726-7315
pISSN - 0015-3222
DOI - 10.21883/ftp.2016.11.43773.5
Subject(s) - materials science
Изучены возможности предельно высокого легирования теллуром эпитаксиальных слоев GaAs методом металлоорганической газофазной эпитаксии при использовании диизопропилтеллурида в качестве источника. Показано, что вхождение теллура в GaAs происходит вплоть до концентрации атомов ~10 21 см -3 без заметных эффектов диффузии и сегрегации. Хорошие значения концентрации носителей (2·10 19 см -3 ) и удельного контактного сопротивления невплавных омических контактов (1.7·10 -6 Ом·см 2 ) дают основания для использования таких слоев для создания невплавных омических контактов в электронных приборах. Обнаружено резкое снижение электрической активности атомов Te, падение подвижности электронов и повышение контактного сопротивления при концентрации атомов выше 2·10 20 см -3 .