Сильно легированные слои GaAs : Te, полученные в процессе МОГФЭ с использованием диизопропилтеллурида в качестве источника | Zendy

В.М. Данильцев | Zendy; Е.В. Демидов | Zendy; М.Н. Дроздов | Zendy; Ю Н Дроздов | Zendy; С.А. Краев | Zendy; Е.А. Суровегина | Zendy; В.И. Шашкин | Zendy; П.А. Юнин | Zendy

Open Access

Сильно легированные слои GaAs : Te, полученные в процессе МОГФЭ с использованием диизопропилтеллурида в качестве источника

Author(s) -

В.М. Данильцев,

Е.В. Демидов,

М.Н. Дроздов,

Ю Н Дроздов,

С.А. Краев,

Е.А. Суровегина,

В.И. Шашкин,

П.А. Юнин

Publication year - 2016

Publication title -

физика и техника полупроводников

Language(s) - Russian

Resource type - Journals

eISSN - 1726-7315

pISSN - 0015-3222

DOI - 10.21883/ftp.2016.11.43773.5

Subject(s) - materials science

Изучены возможности предельно высокого легирования теллуром эпитаксиальных слоев GaAs методом металлоорганической газофазной эпитаксии при использовании диизопропилтеллурида в качестве источника. Показано, что вхождение теллура в GaAs происходит вплоть до концентрации атомов ~10 21 см -3 без заметных эффектов диффузии и сегрегации. Хорошие значения концентрации носителей (2·10 19 см -3 ) и удельного контактного сопротивления невплавных омических контактов (1.7·10 -6 Ом·см 2 ) дают основания для использования таких слоев для создания невплавных омических контактов в электронных приборах. Обнаружено резкое снижение электрической активности атомов Te, падение подвижности электронов и повышение контактного сопротивления при концентрации атомов выше 2·10 20 см -3 .

The content you want is available to Zendy users.

Already have an account? Click here to sign in.

Having issues? You can contact us here

Accelerating Research