Cтимулированное излучение в гетероструктурах с двойными квантовыми ямами InGaAs/GaAsSb/GaAs, выращенных на подложках GaAs и Ge/Si(001) | Zendy

А.Н. Яблонский | Zendy; Sergii Morozov | Zendy; Д. М. Гапонова | Zendy; В.Я. Алешкин | Zendy; В. Г. Шенгуров | Zendy; Б. Н. Звонков | Zendy; О. В. Вихрова | Zendy; Н.В. Байдусь | Zendy; Z. F. Krasilnik | Zendy

Open Access

Cтимулированное излучение в гетероструктурах с двойными квантовыми ямами InGaAs/GaAsSb/GaAs, выращенных на подложках GaAs и Ge/Si(001)

Author(s) -

А.Н. Яблонский,

Sergii Morozov,

Д. М. Гапонова,

В.Я. Алешкин,

В. Г. Шенгуров,

Б. Н. Звонков,

О. В. Вихрова,

Н.В. Байдусь,

Z. F. Krasilnik

Publication year - 2016

Publication title -

физика и техника полупроводников

Language(s) - Russian

Resource type - Journals

eISSN - 1726-7315

pISSN - 0015-3222

DOI - 10.21883/ftp.2016.11.43772.4

Subject(s) - materials science , gallium arsenide , optoelectronics , germanium , silicon

Сообщается о наблюдении стимулированного излучения в структурах с двойными квантовыми ямами InGaAs/GaAsSb/GaAs, выращенных на подложке Si(001) с использованием релаксированного Ge-буфера. Стимулированное излучение наблюдалось при температуре 77 K на длине волны 1.11 мкм, т. е. в области прозрачности объемного Si. В аналогичных гетероструктурах, выращенных на подложке GaAs, стимулированное излучение наблюдалось при комнатной температуре на длине волны 1.17 мкм, что открывает перспективы интеграции таких структур в кремниевую оптоэлектронику.

The content you want is available to Zendy users.

Already have an account? Click here to sign in.

Having issues? You can contact us here

Accelerating Research