Open AccessCтимулированное излучение в гетероструктурах с двойными квантовыми ямами InGaAs/GaAsSb/GaAs, выращенных на подложках GaAs и Ge/Si(001)
Author(s) -
А.Н. Яблонский,
С.В. Морозов,
Д. М. Гапонова,
В.Я. Алешкин,
В. Г. Шенгуров,
Б. Н. Звонков,
О. В. Вихрова,
Н.В. Байдусь,
Z. F. Krasilnik
Publication year - 2016
Publication title -
fizika i tehnika poluprovodnikov
Language(s) - Russian
Resource type - Journals
eISSN - 1726-7315
pISSN - 0015-3222
DOI - 10.21883/ftp.2016.11.43772.4
Subject(s) - materials science , gallium arsenide , optoelectronics , germanium , silicon
Сообщается о наблюдении стимулированного излучения в структурах с двойными квантовыми ямами InGaAs/GaAsSb/GaAs, выращенных на подложке Si(001) с использованием релаксированного Ge-буфера. Стимулированное излучение наблюдалось при температуре 77 K на длине волны 1.11 мкм, т. е. в области прозрачности объемного Si. В аналогичных гетероструктурах, выращенных на подложке GaAs, стимулированное излучение наблюдалось при комнатной температуре на длине волны 1.17 мкм, что открывает перспективы интеграции таких структур в кремниевую оптоэлектронику.