Open AccessОптическая спектроскопия резонансной брэгговской структуры с квантовыми ямами InGaN/GaN
Author(s) -
A. S. Bolshakov,
V. V. Chaldyshev,
Е. Е. Заварин,
А. В. Сахаров,
В. В. Лундин,
A. F. Tsatsul’nikov
Publication year - 2016
Publication title -
fizika i tehnika poluprovodnikov
Language(s) - Russian
Resource type - Journals
eISSN - 1726-7315
pISSN - 0015-3222
DOI - 10.21883/ftp.2016.11.43771.3
Subject(s) - materials science , optoelectronics
Исследованы спектры оптического отражения и пропускания при комнатной температуре периодической полупроводниковой гетероструктуры с 60 квантовыми ямами InGaN/GaN. Период структуры подбирался так, чтобы при определенных углах падения света обеспечить совпадение энергии фотона, испытывающего резонансное брэгговское отражение, с энергией возбуждения экситонов в квантовых ямах. Подгонка спектров, измеренных при углах падения света 30 и 60 o , с учетом как резонансных экситонных переходов, так и переходов в непрерывный спектр состояний квантовой ямы позволила определить параметры экситонов в квантовых ямах. Получено значение параметра радиационного затухания (0.20±0.02) мэВ.