Оптическая спектроскопия резонансной брэгговской структуры с квантовыми ямами InGaN/GaN

Исследованы спектры оптического отражения и пропускания при комнатной температуре периодической полупроводниковой гетероструктуры с 60 квантовыми ямами InGaN/GaN. Период структуры подбирался так, чтобы при определенных углах падения света обеспечить совпадение энергии фотона, испытывающего резонансное брэгговское отражение, с энергией возбуждения экситонов в квантовых ямах. Подгонка спектров, измеренных при углах падения света 30 и 60 o , с учетом как резонансных экситонных переходов, так и переходов в непрерывный спектр состояний квантовой ямы позволила определить параметры экситонов в квантовых ямах. Получено значение параметра радиационного затухания (0.20±0.02) мэВ.